HBM4:《半導體》1310→2300 創意迎HBM4大商機外資狂升目標價

《半導體》1310→2300 創意迎HBM4大商機外資狂升目標價

《半導體》1310→2300 創意迎HBM4大商機外資狂升目標價

2024年7月2日—亞系外資表示,看好下一代HBM對創意來說是一個機會,因為創意提供存儲晶片製造商SK海力士的基礎晶元設計,估計HBM4基礎晶片將可以貢獻創意2026年2~2.5億 ...。其他文章還包含有:「三星傳以4奈米量產HBM4,對抗SK海力士、台積電聯盟」、「HBM4技術競賽,進入白熱化」、「HBM4將影響以AI為中心的記憶體格局?」、「抗台積三星要用4奈米產HBM4」、「高頻寬記憶體」、「三星傳以4奈米量產HBM4對抗SK海力士台積聯盟」...

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三星傳以4 奈米量產HBM4,對抗SK 海力士、台積電聯盟
三星傳以4 奈米量產HBM4,對抗SK 海力士、台積電聯盟

https://technews.tw

《韓國經濟日報》15日引述未具名消息人士報導,三星準備運用4奈米製程,量產第六代HBM4的邏輯晶粒(logic die)。邏輯晶粒位於晶粒堆疊的最底層,為HBM的 ...

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HBM4技術競賽,進入白熱化
HBM4技術競賽,進入白熱化

https://hao.cnyes.com

HBM4在堆疊的層數上也有所變化,除了首批的12層垂直堆疊,預計2027年記憶體廠商還會帶來16層垂直堆疊。堆疊技術的進步意味著在同一實體空間內可以容納更多 ...

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HBM4將影響以AI為中心的記憶體格局?
HBM4將影響以AI為中心的記憶體格局?

https://www.eettaiwan.com

HBM4也是目前HBM3標準的進階版,進一步提高了資料處理速度,同時保持更高的頻寬、更低的功耗,以及更大的每個晶和/或堆疊容量等基本特性。針對生成式人工 ...

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抗台積三星要用4奈米產HBM4
抗台積三星要用4奈米產HBM4

https://www.ctee.com.tw

《韓國經濟日報》報導,三星電子為了在AI市場扳回一城,打算以4奈米製程量產第六代HBM4高頻寬記憶體晶片,結合自家晶片設計與代工製造的優勢,來 ...

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高頻寬記憶體
高頻寬記憶體

https://zh.wikipedia.org

HBM4. 編輯. 為了打造能進行百億億次計算(英語:Exascale computing)的高效能電腦,慧與科技預測OPGHC HBM3+及HBM4將在2022年至2024年間發布。更為強大的堆疊能力及更 ...

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三星傳以4奈米量產HBM4 對抗SK海力士台積聯盟
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https://www.moneydj.com

《韓國經濟日報》15日引述未具名消息人士報導,三星準備運用4奈米製程,量產第六代HBM4的邏輯晶粒(logic die)。邏輯晶粒位於晶粒堆疊的最底層,為HBM的 ...

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JEDEC 初步規定HBM4 規格,輝達Rubin 核心架構採用
JEDEC 初步規定HBM4 規格,輝達Rubin 核心架構採用

https://technews.tw

新HBM4 標準將規定24Gb 和32Gb 記憶體層級,並四層、八層、12 層和16 層TSV(Through-Silicon Via)堆疊。JEDEC 協會初步同意,速度傳輸達每秒6.4GT,討論 ...

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HBM4標準敲定倒數計時堆疊介面擬擴展至2048位元
HBM4標準敲定倒數計時堆疊介面擬擴展至2048位元

https://www.digitimes.com.tw

HBM4標準敲定倒數計時堆疊介面擬擴展至2048位元 ... AI、高效運算(HPC)、高階繪圖和伺服器等資料密集型應用,高頻寬記憶體(HBM)消耗愈來愈多。國際 ...

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HBM 4,即將完成
HBM 4,即將完成

https://hao.cnyes.com

據介紹,HBM4 是目前發布的HBM3 標準的進化版,旨在進一步提高資料處理速率,同時保持基本特性,例如更高的頻寬、更低功耗和更大的每個晶片和/或堆疊容量 ...