rdson公式：MOSFET是電氣系統一些最基本的元件，但隨著製造 ...
MOSFET是電氣系統一些最基本的元件，但隨著製造 ...
MOSFET应用参数理论详解
https://mp.ofweek.com
另外Rds(on)也是Tj的函数，一般可用如下公式进行计算：. a是依赖于沟道技术参数，工艺和使用技术定下来，a是常量。比如英飞凌的OptiMOS功率 ...
mos管的参数Rds(on)什么意思，突然不懂了
https://bbs.21ic.com
随着vds逐渐增大，mos进入饱和区，此时rds 是比较小还是比较大呢，是Rds(on) ? ... 看来是不能用单纯的这样公式计算了Id*Rds =Vds 。 电阻非常大。用△Vds和 ...
关于MOS管的Rds学习转载
https://blog.csdn.net
导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现MOSFET的身影，而且很多应用要求超低导通 ...
導通電阻| 電子小百科
https://www.rohm.com.tw
MOSFET的消耗功率是用汲極-源極間導通電阻（RDS(ON)）計算。 MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以汲極電流（ID)的平方表示。
技术优势
http://www.orientalsemi.com
利用相邻的pn柱之间相互耗尽的原理，将漂移区的浓度可以提升，使得器件导通时电阻率降低。
簡介
https://u.dianyuan.com
*RDSON(MAX) = R(T)*RDSON(MAX). POWER RELATED-CURRENT RATING. Page 18 ... EAS AVALANCHE ENERGY 計算公式如下: EAS = 1/2*L*I*I[V(BR)DSS/(V ...
菜鳥選擇MOSFET的四步驟！
https://www.shikues.com
作為壹種快速比較準備用在開關應用裏MOSFET的方式，設計者經常使用壹個單數公式，公式包括表示傳導損耗RDS(on)及表示開關損耗的Qg：RDS(on) xQg。這個 ...
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
http://www.ac-semi.com
计算方式：通常情况下，比导通电阻可以通过公式Rsp = Rdson × 有源区面积来计算。 意义：Rsp 的数值越小，表明技术水平越高。也就是说，在相同的导通 ...
靜態電性測試機
https://www.weimin.com.tw
... RDSON 公式. 如下: RDSON=V DS/IDS. Page 4. gFS基於: [MIL750 3475.2]. 目的. 此測試方法的目的是建立一個基本的測試電路，用於確定正向跨導（gFS）使用脈衝直流. 測試 ...