tsa半導體：半導體產業與學術討論區
半導體產業與學術討論區
特用電子級氣體台積先進製程關鍵
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台大化工系教授藍崇文表示，半導體沉積薄膜製程是作為生成絕緣或導體層及半導體層，晶片設計要讓線路產生、讓電流開或關的關鍵製程。過去這項製程大多採用 ...
TWI516440B
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在此所述的是製造甲矽烷基胺，更明確地說三甲矽烷基胺，的方法。三甲矽烷基胺((SiH 3) 3N或“TSA”)係能用於半導體業中沉積間隙填充應用所需的高純度氧化矽膜的前驅物。
聯華林德與宇川精密材料共同開發新半導體材料
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新型的TSA生產設備將採用最尖端的製程，並搭配先進的安全及分析基礎設施。考量供應鏈的應變計畫，生產廠區策略性的選在對TSA需求與日俱增的亞洲市場。
製造三甲矽烷基胺的方法
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三甲矽烷基胺((SiH3)3N或“TSA”)係能用. 於半導體業中沉積 ... 在此具體實施例中,能在反應以前將一池的TSA 轉移. 至該反應器而且MCS 和氨能噴入TSA 中以製造更多TSA。
一氯矽烷(MCS)
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產品, 一氯矽烷(MCS) ; 化學式, SiH3Cl ; 介紹, MCS為生成TSA之主要原料之一，TSA普遍使用於20奈米以下半導體之STI製程中 ; 純度, ≧ 99%（2N） ; 鋼瓶, Y式鋼瓶：470L / 230KG.
工研院「2024 VLSI TSA國際研討會」登場聚焦異質整合與小 ...
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法國半導體研究機構CEA-Leti Louis Hutin將在演講中表示，半導體量子點和自旋量子位元具有強大的發展潛力，但有尺寸變化、密度、靜態和動態無序等挑戰， ...
工研院「2024 VLSI TSA國際研討會」登場，聚焦AI算力等關鍵 ...
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法國半導體研究機構CEA-Leti Louis Hutin將在演講中表示，半導體量子點和自旋量子位元具有強大的發展潛力，但有尺寸變化、密度、靜態和動態無序等挑戰， ...
「Å 世代半導體計畫
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原子層沉積前驅物：聚矽烷前驅物(三矽甲基胺Tr isilylamine,TSA)、高電阻矽碳烷(聚矽烷前驅物-二. 碘矽烷Diiodosilane,DIS)等，純度˃5N。 C. 光阻材料 ...
臺大電子所劉致為教授博士生研究成果榮獲2022 VLSI
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臺大電子所劉致為教授的研究團隊於2022年在國際頂尖半導體會議VLSI-TSA發表研究論文，榮獲Best Student Paper Award (最佳學生論文獎)，其第一作者為電子所奈米電子組的 ...