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三甲矽烷基胺tsa

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Trisilylaminetsa半導體三甲矽烷基胺tsa
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宇川精密材料科技股份有限公司安全資料表(SDS)
宇川精密材料科技股份有限公司安全資料表(SDS)

https://www.ppmiglobal.com

一、化學品與廠商資料. 化學品名稱:三甲矽烷基胺,Trisilylamine. 其他名稱:TSA. 建議用途及限制使用:化學中間體. 製造者/輸入者/供應者名稱:宇川精密材料科技股份 ...

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TWI516440B
TWI516440B

https://patents.google.com

三甲矽烷基胺((SiH 3) 3N或“TSA”)係能用於半導體業中沉積間隙填充應用所需的高純度氧化矽膜的前驅物。三甲矽烷基胺係用於膜生長時不需要直接電漿激發的反應性前驅物。

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製造三甲矽烷基胺的方法
製造三甲矽烷基胺的方法

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【0013】 本文揭示的是用於包含TSA 的反應器中製備三. 甲矽烷基胺(“TSA”)的方法,該三甲矽烷基胺於液相中扮作溶. 劑。該反應提供包含TSA 的粗製混合物。該包含TSA 的粗製.

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三(三甲基矽基)胺
三(三甲基矽基)胺

https://zh.wikipedia.org

三(三甲基矽基)胺是氨的所有氫原子都被三甲基矽基 (-Si(CH3)3)取代而成的化合物。 ... 三(三甲基矽基)胺在多年來一直都是研究熱點,因為它可作為化學固氮(在標準情況下把 ...

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TWI658044B
TWI658044B

https://patents.google.com

為產生單取代TSA/胺化合物,TSA/胺之莫耳比為約0.5至約5且更佳為約1至約3。為產生多取代TSA/胺化合物,TSA/胺之莫耳比為約0.1至約0.9。比率愈低,TSA化合物上胺之取代 ...

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「Å 世代半導體計畫
「Å 世代半導體計畫

https://tiip.itnet.org.tw

原子層沉積前驅物:聚矽烷前驅物(三矽甲基胺Tr isilylamine,TSA)、高電阻矽碳烷(聚矽烷前驅物-二. 碘矽烷Diiodosilane,DIS)等,純度˃5N。 C. 光阻材料 ...

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聯華林德與宇川精密材料共同開發新半導體材料
聯華林德與宇川精密材料共同開發新半導體材料

https://www.digitimes.com.tw

... 三甲矽烷基胺(Trisilylamine;TSA)生產設備及產線,預計每年生產產能可達3.6噸,計劃於2020年第3季投產。 新型的TSA生產設備將採用最尖端的製程,並 ...

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三甲基矽烷
三甲基矽烷

https://zh.wikipedia.org

三甲基矽烷或三甲基矽化氫,是一種有機矽化合物,化學式為C3H10Si,結構簡式(CH3)3SiH。它是一種極易燃的物質。三甲基矽烷用於半導體工業中的電漿相腐蝕劑。

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【中文發明名稱】氮含量高的氮化矽膜
【中文發明名稱】氮含量高的氮化矽膜

https://patentimages.storage.g

前,這樣的膜是透過三甲矽烷基胺( trisilyla mine. 矽烷基胺(trisilyla. TSA )生成,且以自由基形式的NH,作為共反應物。 由. TSA 製程獲得的剛沉積的膜包括Si及N以作為主要成.

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三甲硅烷基胺(TSA)
三甲硅烷基胺(TSA)

http://www.natachem.com

中文名:三甲硅烷基胺 · 英文名:Trisilylamine · CAS号:13862-16-3 · 用途:通过流动化学气相沉积(FCVD)形成氧化硅 · 纯度指标:99.65% · 规格:公斤级.