極紫外光刻機:ASML已出貨第二台High NA EUV光刻機,市場認為可能是 ...
ASML已出貨第二台High NA EUV光刻機,市場認為可能是 ...
極紫外光微影製程
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極紫外光微影(英語:extreme ultraviolet lithography,中國大陸稱為極紫外光刻,簡稱「EUV」或「EUVL」)又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長的微影 ...
全球瘋搶EUV 曝光機!究竟是摩爾定律的救命曙光
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極紫外光(Extreme ultraviolet, EUV)是波長小於13.5 奈米的光,使用EUV 作為光源的曝光機,即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少,關鍵 ...
High
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事實上,EUV為「極紫外光」縮寫(Extreme ultraviolet, EUV),它是一道波長小於13.5奈米的光,而使用EUV作為光源的曝光機,就是所謂的EUV曝光機/光刻機。
藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射
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製造晶片時TRUMPF高功率雷射放大器發揮關鍵作用:因為藉助它可生成發光等離子體,從而提供極紫外光(EUV) 曝光晶圓。TRUMPF與全球最大的光刻系統製造商ASML以及光學元件 ...
整理包/英特爾拿下全球首台高數值孔徑EUV設備一 ...
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EUV(Extreme Ultraviolet Lithography)曝光機採用的光源是「極紫外光」,波長13.5nm,可以刻出更細緻的電路圖,但也因為波長太短,容易被空氣吸收,因此必須在真空環境中 ...
極紫外光(EUV)微影技術:半導體製造的革命性突破
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極紫外光(EUV)光刻技術是半導體製造業的一大突破,使用13.5納米波長光源,在矽晶片上印製極其精細的電路圖案。此技術的發展經歷了數十年, ...
极紫外光刻
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极紫外光刻(英语:extreme ultraviolet lithography,台湾称为极紫外光微影,简称“EUV”或“EUVL”)又稱作超紫外線平版印刷術, 是一种使用極紫外光波長的光刻技術,目前 ...
佳能的半導體光刻機業務再度崛起
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佳能的半導體光刻機業務恢復了往昔的勢頭。佳能未能生産ArF浸沒式光刻機和EUV(極紫外)光刻機,曾經在與荷蘭阿斯麥(ASML)和尼康的開發競爭中敗下陣 ...