氧化鎵英文：氧化镓| 12024
氧化镓| 12024
12024-21
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氧化镓. 英文名称： Gallium(III) Oxide. CAS No.： 12024-21-4. 分子式： Ga2O3. 分子量： 187.4442. 如需查看该化合物的详细结构式,mol文件,smile,InChi 请点击：氧化镓结构式.
利用硬X光奈米探測研究氧化鎵磊晶薄膜的放光特性
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英文. 論文頁數: 66. 論文摘要近年來，單斜晶系的氧化鎵(β-Ga2O3) 作為具有潛在應用前景和超寬能隙（4.8 eV）半導體受到了廣泛關注。根據之前的報導，單斜晶系的氧化鎵在 ...
氧化鎵
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氧化鎵是鎵最穩定的氧化物，化學式為Ga2O3，是一種白色的晶體粉末，具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。 氧化鎵. 別名, 氧化鎵(III) 三氧化二鎵. 識別. CAS號 ...
氧化鎵：用於功率元件的新一代半導體材料
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在過去十年中，氧化鎵(gallium oxide，GaO)技術發展迅速，被推至超寬能隙半導體(ultra-WBG semiconductor)技術的前端位置，其主要目標應用領域是電力電子。
氧化镓
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... 氧化镓, 99.995% (METALS BASIS);氧化镓, 99.99% (METALS BASIS);氧化镓, PURATRONIC, 99.999% (METALS BASIS); 英文名称:Gallium(III) oxide; CAS No:12024-21-4; EINECS ...
氧化镓
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InChIKey, QZQVBEXLDFYHSR-OGCFUIRMAC. RTECS, LW9650000. 性质. 化学式, Ga2O3. 摩尔质量, 187.444 g·mol⁻¹. 外观, 白色晶体粉末. 密度, 6.44 g/cm3（α） 5.88 g/cm3（β）.
氧化镓_MSDS
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氧化镓 ; 英文名, Gallium(Iii) Oxide (Metals Basis) ; 中文别名, 三氧化二镓 ; 英文别名, 更多 ; 密度, 5.88 ; 熔点, 1740ºC.
第四代半導體氧化鎵(Ga2O3)技術開發動向
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... 氧化鎵(Ga2O3) ... 【日本專家】矽光子(Silicon photonics)之光積體電路的研發趨勢 英文簡報！ 3/28 ...