氧化鎵英文：氧化镓_MSDS

氧化镓_MSDS

2024年1月2日—氧化镓;英文名,Gallium(Iii)Oxide(MetalsBasis);中文别名,三氧化二镓;英文别名,更多;密度,5.88;熔点,1740ºC.。其他文章還包含有：「12024-21」、「利用硬X光奈米探測研究氧化鎵磊晶薄膜的放光特性」、「氧化鎵」、「氧化鎵：用於功率元件的新一代半導體材料」、「氧化镓」、「氧化镓」、「氧化镓|12024」、「第四代半導體氧化鎵(Ga2O3)技術開發動向」

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12024-21

https://www.chem960.com

氧化镓. 英文名称： Gallium(III) Oxide. CAS No.： 12024-21-4. 分子式： Ga2O3. 分子量： 187.4442. 如需查看该化合物的详细结构式,mol文件,smile,InChi 请点击：氧化镓结构式.

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利用硬X光奈米探測研究氧化鎵磊晶薄膜的放光特性

https://ndltd.ncl.edu.tw

英文. 論文頁數: 66. 論文摘要近年來，單斜晶系的氧化鎵(β-Ga2O3) 作為具有潛在應用前景和超寬能隙（4.8 eV）半導體受到了廣泛關注。根據之前的報導，單斜晶系的氧化鎵在 ...

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氧化鎵

https://zh.wikipedia.org

氧化鎵是鎵最穩定的氧化物，化學式為Ga2O3，是一種白色的晶體粉末，具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。氧化鎵. 別名, 氧化鎵(III) 三氧化二鎵. 識別. CAS號 ...

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氧化鎵：用於功率元件的新一代半導體材料

https://www.eettaiwan.com

在過去十年中，氧化鎵(gallium oxide，GaO)技術發展迅速，被推至超寬能隙半導體(ultra-WBG semiconductor)技術的前端位置，其主要目標應用領域是電力電子。

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氧化镓

https://www.chemicalbook.com

... 氧化镓, 99.995% (METALS BASIS);氧化镓, 99.99% (METALS BASIS);氧化镓, PURATRONIC, 99.999% (METALS BASIS); 英文名称:Gallium(III) oxide; CAS No:12024-21-4; EINECS ...

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