pn接面空乏區寬度：第一章半導體特性與PN 二極體1
4 下列有關p
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4 下列有關p-n 接面二極體之敘述何者正確？ (A)摻雜濃度越高，空乏區寬度越大 (B)擴散電容（Diffusion Capacitance）是逆向偏壓時所注入的少數載子（minority carrier ...
pn 接面2. 二極體的電流電壓特性
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接面與空乏區(Junction and depletion region) p型半導體 n型半導體. 電洞 ... 計算空乏區寬度x d. 2 ln i. D. A bi n. NN q. kT. V = Page 6. 中興大學孫允武. 應用電子 ...
pn接面
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pn接面 編輯 ... 一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面間有一個過渡層，稱為pn接面、p-n接面（p-n junction）。pn接面是電子技術中 ...
PN接面二極體
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二極，指的是多數載子為電洞(帶正電)的P極 (陽極)與多數載子為電子(帶負電)的N極(陰極)。 P型半導體與N型半導體連接在一起時， 在這兩個接面之間會形成所謂的P-N接面。 當 ...
pn接面二極體的動作原理
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當電源之電位能可以完全克服PN接面的電位障壁時，則電流會明顯上升。 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少。 若n側相對於p側的電位為正，則稱此接面為逆向偏壓或反向 ...
準一維氮化鎵半導體pn接面的電性及顯微研究
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... p-n接面的影像變化，其呈現的影像與偵測器接收的二次散射電子濃度成正比的關係，藉此做影像分析，推論出空乏區寬度與p-n接面位障。另一方面，目前利用霍爾量測的方式 ...
第1 章(1.7~1.12) 電子學與半導體
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它的極性將多數載. 子(p-型區的電洞與n-型區的自由電子)推向接面，. 並使空乏區的寬度減少。 圖: 施加電壓的pn 接面. V. F. 注意，此圖 ...
第一章半導體特性與PN 二極體1
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逆向偏壓的pn 接面，其接面電容隨逆向偏壓VR 的增大而：. 增大. 減小. 不變. 先增大再減小. 【 初等】. Page 14. 1－12. 逆向偏壓越大，空乏區寬度越大，則接面電容越小。