anti punch through implant原理:这几种MOS管“击穿”,你了解吗?
这几种MOS管“击穿”,你了解吗?
搞清楚MOS管的幾種「擊穿」?
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(4)穿通擊穿一般發生在溝道體內,溝道表面不容易發生穿通,這主要是由於溝道注入使表面濃度比濃度大造成,所以,對NMOS管一般都有防穿通注入。
CMOS器件進階版講解
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4) 防止穿通(Anti-Punch Through):底部濃度高,前面PN結理論說過那個耗盡區寬度怎麼樣?會變窄吧,那是不是可以防止drain的耗盡區擴展到source區 ...
Anti-Punch-Through
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本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的 ...
解决MOS管小电流发热,就看这一招!
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这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了通路,所以叫做穿通(punch ...
淺談MOSFET有多少種「擊穿」?
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(4)穿通擊穿一般發生在溝道體內,溝道表面不容易發生穿通,這主要是由於溝道注入使表面濃度比濃度大造成,所以,對NMOS管一般都有防穿通注入。 (5)一般的,鳥嘴 ...
MOSFET的击穿有哪几种
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(4)穿通击穿一般发生在沟道体内,沟道表面不容易发生穿通,这主要是由于沟道注入使表面浓度比浓度大造成,所以,对NMOS管一般都有防穿通注入。 (5)一般的,鸟嘴边缘的浓度比沟道 ...
干货
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这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了通路,所以叫做穿通(punch ...
Optimization of the anti
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In this study, an optimal anti-punch-through implant for electrostatic discharge (ESD) protection devices is investigated. By solving a two-dimensional (2D) ...