anti punch through implant原理：淺談MOSFET有多少種「擊穿」?
淺談MOSFET有多少種「擊穿」?
这几种MOS管“击穿”，你了解吗？
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（4）穿通击穿一般发生在沟道体内，沟道表面不容易发生穿通，这主要是由于沟道注入使表面浓度比浓度大造成，所以，对NMOS管一般都有防穿通注入。
搞清楚MOS管的幾種「擊穿」？
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(4)穿通擊穿一般發生在溝道體內，溝道表面不容易發生穿通，這主要是由於溝道注入使表面濃度比濃度大造成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。
CMOS器件進階版講解
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4) 防止穿通(Anti-Punch Through):底部濃度高，前面PN結理論說過那個耗盡區寬度怎麼樣？會變窄吧，那是不是可以防止drain的耗盡區擴展到source區 ...
Anti-Punch-Through
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本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的 ...
解决MOS管小电流发热，就看这一招！
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这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通（punch ...
MOSFET的击穿有哪几种
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（4）穿通击穿一般发生在沟道体内，沟道表面不容易发生穿通，这主要是由于沟道注入使表面浓度比浓度大造成，所以，对NMOS管一般都有防穿通注入。 （5）一般的，鸟嘴边缘的浓度比沟道 ...
干货
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这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通（punch ...
Optimization of the anti
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In this study, an optimal anti-punch-through implant for electrostatic discharge (ESD) protection devices is investigated. By solving a two-dimensional (2D) ...