Voltage Contrast 原理:發展奈米探針與被動電壓對比技術應用到MOSFET 故障分析
發展奈米探針與被動電壓對比技術應用到MOSFET 故障分析
VC (Voltage Contrast)
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原理 · 當電子束(離子束)掃描過樣品表面時, 會與表面產生非彈性碰撞, 並放射出一些低能(<50 eV)的二次電子 · 這些電子一般僅能離開表面30nm以內, 利用偵測器 ...
掃描式電子顯微鏡(SEM)
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電壓對比-Passive Voltage Contrast-PVC. 電壓對比(Passive Voltage Contrast,PVC):可應用於影像對比亮暗的差異性,作為判斷contact是否有open/short的異常. EDS ...
利用FIBSEM中的电压衬度进行电路故障分析(附案例)
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在半导体领域中,电压衬度(Voltage-Contrast)通常指的是一种技术或方法,用于通过测量半导体芯片内部不同区域的电压差异来检测故障、问题或特定特征。
IC器件失效分析切片技術,您瞭解多少?切片原理介紹及 ...
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CP的操作原理是利用檔板將目標物遮住, 再用離子束切割,作用時間長短可控制出觀察範圍的大小;試樣切割出可觀察的區域呈現U字型(如圖2)。 針對不同的樣品的硬度,製備出鏡面 ...
VC (voltage contrast)
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半導體材料分析技術與應用
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基本原理:用高能電子撞擊待測物,再用適當的. 偵測器偵測作用後發出的訊號 ... 利用Voltage contrast技術,可做半導體元件電性故障分析中 open類故障的定位與 ...
集成电路失效分析的技术和方法
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VC(voltage contrast)定位技术基于SEM或FIB,可以把失效范围进一步缩小,很好地解决了这一难题。 VC定位技术是利用SEM或者FIB的一次电子束或离子束在样品表面进行扫描。 ...
高階晶片異常點無所遁形C
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我們可利用SEM層層觀察試片的金屬線和閘極架構是否異常,也可以在通孔/接觸點(Via/Contact)層次搭配SEM內建的VC(Voltage Contrast,即電壓對比 ...