Gate first gate last:Integrating high-k metal gates: gate
Integrating high-k metal gates: gate
由TYHoffmann著作·被引用35次—Theterminology'first'and'last'referstowhetherthemetalelectrodeisdepositedbeforeorafterthehightemperatureactivationanneal(s)oftheflow.。其他文章還包含有:「Foundry製程戰爭系列-二、三線晶圓廠的掙扎」、「GateLast(FINFET)vs.GateFirst(FDSOI)」、「Gate」、「WhyPolySitoHKMG」、「台積電28nm製程節點轉向Gate」、「所谓的HighK工艺用的是什么?」、「详解Gate」、「針對High」
查看更多 離開網站Foundry 製程戰爭系列- 二、三線晶圓廠的掙扎
https://benchlife.info
Samsung 原本在32nm 製程同樣採用Gate-first 技術,但是在經過某件事情之後,快速發展出自己的Gate-last 28nm 製程,此後20nm、14nm 亦都是基於Gate-last。
Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)
https://iopscience.iop.org
To continue scaling, the industry has chosen two integration approaches: FINFET with gate last and FDSOI with gate first. The FINFET with gate last integration ...
Gate
https://ieeexplore.ieee.org
We report on gate-last technology for improved effective work function tuning with ~200meV higher p-EWF at 7Å EOT, ~2× higher f max performance.
Why PolySi to HKMG
https://hackmd.io
HKMG都是用ALD做。 演進從gate first → HK first Gate last → HKMG last; 隨製程演進,gate oxide要求越薄,當Lg<7nm,就會產生有穿隧效應(水平/垂直 ...
台積電28nm製程節點轉向Gate
https://xljlee.pixnet.net
不過,要從傳統的Gate-first Technology 轉換到Gate-last Technology,不僅需要芯片代工廠商對工序和製造Technology進行調整,還需要電路的設計方對電路的 ...
所谓的High K工艺用的是什么?
http://ask.iccourt.com
gate first 与gate last指的是metal gate (金属栅)的制造顺序。就现在的工艺而言,high-k gate dielectric都是和metal gate一起使用的。 gate first ...
详解Gate
https://www.eechina.com
而Applied Materials公司的CTO Hans Stork则表示,gate-first工艺需要小心对待用来控制Vt电压的上覆层的蚀刻工步,而gate-last工艺则需要在金属淀积和化学 ...
針對High
https://ndltd.ncl.edu.tw
在本論文的研究中,我們量測了Gate Last和Gate First的元件。對Gate Last來說,高介電值金屬閘極元件在經過熱退火製程之後,氧和氮會擴散到高介電值金屬閘極元件之中。