Gate first gate last：Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)
Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)
由DTriyoso著作·2015·被引用6次—Tocontinuescaling,theindustryhaschosentwointegrationapproaches:FINFETwithgatelastandFDSOIwithgatefirst.TheFINFETwithgatelastintegration ...。其他文章還包含有：「Foundry製程戰爭系列－二、三線晶圓廠的掙扎」、「Gate」、「Integratinghigh-kmetalgates:gate」、「WhyPolySitoHKMG」、「台積電28nm製程節點轉向Gate」、「所谓的HighK工艺用的是什么？」、「详解Gate」、「針對High」
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Foundry 製程戰爭系列－ 二、三線晶圓廠的掙扎
https://benchlife.info
Samsung 原本在32nm 製程同樣採用Gate-first 技術，但是在經過某件事情之後，快速發展出自己的Gate-last 28nm 製程，此後20nm、14nm 亦都是基於Gate-last。
Gate
https://ieeexplore.ieee.org
We report on gate-last technology for improved effective work function tuning with ~200meV higher p-EWF at 7Å EOT, ~2× higher f max performance.
Integrating high-k metal gates: gate
https://sst.semiconductor-dige
The terminology 'first' and 'last' refers to whether the metal electrode is deposited before or after the high temperature activation anneal(s) of the flow.
Why PolySi to HKMG
https://hackmd.io
HKMG都是用ALD做。 演進從gate first → HK first Gate last → HKMG last; 隨製程演進，gate oxide要求越薄，當Lg<7nm，就會產生有穿隧效應(水平/垂直 ...
台積電28nm製程節點轉向Gate
https://xljlee.pixnet.net
不過，要從傳統的Gate-first Technology 轉換到Gate-last Technology，不僅需要芯片代工廠商對工序和製造Technology進行調整，還需要電路的設計方對電路的 ...
所谓的High K工艺用的是什么？
http://ask.iccourt.com
gate first 与gate last指的是metal gate （金属栅）的制造顺序。就现在的工艺而言，high-k gate dielectric都是和metal gate一起使用的。 gate first ...
详解Gate
https://www.eechina.com
而Applied Materials公司的CTO Hans Stork则表示，gate-first工艺需要小心对待用来控制Vt电压的上覆层的蚀刻工步，而gate-last工艺则需要在金属淀积和化学 ...
針對High
https://ndltd.ncl.edu.tw
在本論文的研究中，我們量測了Gate Last和Gate First的元件。對Gate Last來說，高介電值金屬閘極元件在經過熱退火製程之後，氧和氮會擴散到高介電值金屬閘極元件之中。