pecvd中文：電漿輔助化學氣相沉積系統A (Plasma
電漿輔助化學氣相沉積系統A (Plasma
PECVD
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等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是一種利用等離子內的能量在晶片表面引發反應的工藝，否則該反應將需要與常規CVD相關的更高溫度。沉積過程中的高能離子轟擊還可以改善薄膜 ...
PECVD 鍍膜製程
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特殊脈衝電漿製程，腔體內之部件表面皆可均勻的鍍上膜層，不受物件形狀限制. 特殊脈衝電漿製程可提供更密緻、更厚、生成速率更快的膜層.
Technology
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Reliant 系統 化學氣相沉積（CVD） 脈衝雷射沉積（PLD） 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD）. 我們的Reliant 沉積產品可實現特殊製程藍圖，並 ...
化學氣相沉積
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電漿增強化學氣相沉積法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用電漿增加前驅物的反應速率。PECVD技術允許在低溫的環境下成長，這是半導體製造中廣泛使用PECVD的最重要原因。
產品電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)
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電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)是利用反應氣體轉爲電漿狀態時,所產生的活性基及離子的在基板上的化學反應形成薄膜的技術. 使用在化合物半導體及砂半導體製程上的氮化矽的保護 ...
電漿化學氣相沉積(PECVD)
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電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生，屬於「化學氣相沉積(CVD)」，由於只需要高真空，而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積，成本較低適合工廠 ...
電漿輔助化學氣相沉積
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電漿增強化學氣相沉積(PECVD)技術是材料表面改質和薄膜沉積的基本方法之一，利用電漿讓有機單體(monomer)在真空腔體中產生裂解與聚合反應，形成一結構緻密的保護層。 此膜 ...