cmp研磨：化學研磨(CMP)
化學研磨(CMP)
CMP是什麼意思？製程深入介紹，清楚瞭解技術與原理！
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所謂的「CMP」，意為「化學機械研磨，Chemical-Mechanical Polishing」的縮寫。是指使用研磨劑（Slurry），將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。一般在半導體前段 ...
個案研究
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矽晶圓生產過程中一個非常重要的步驟就是化學機械研磨(CMP)製程。主要目的為製作更大尺寸之晶圓尺寸，以及線條寬度與特徵尺寸更狹窄的小尺寸晶片。由於CMP製程要求使用 ...
化學機械平坦化
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化學機械平坦化（英語：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又稱化學機械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半導體器件製造製程中的一種技術，使用化學腐蝕及 ...
3M CMP研磨墊用於半導體
https://www.3m.com.tw
3M™ Trizact™ CMP研磨墊可以快速、精準、均勻地實現平坦化。 傳統的研磨墊可能需要在氮化矽層上沉積一層厚度超過2000埃的低效氧化層，以允許不夠精確地研磨，而3M研磨墊僅需 ...
半導體化學機械研磨(CMP)材料供應商名單彙整
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化學機械研磨(簡稱CMP)技術，可以將晶圓(wafer)的表面研磨成像鏡面一樣光滑。CMP製程會用到研磨液(CMP slurry)、研磨墊(CMP pad)及鑽石碟(CMP ...
CMP化學機械研磨
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利用CMP化學機械研磨技術，可以將每層製作完的電路表面磨平，才可在進行下一層電路的製作；就像在蓋房子一樣，如果一樓蓋的歪七扭八，那在蓋二樓時就會很難蓋。
3M™ CMP材料解決方案
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什麼是化學機械平坦化（CMP）？ ... 化學機械平坦化（或化學機械研磨）是指在半導體製程中，晶圓需經過反覆拋光及平坦化處理，以確保晶圓表面平整，沒有外來物質，然後再進行後續的每 ...
化學機械研磨廢水相關處理技術
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在CMP的製程上所使用的研磨液主要是由呈膠體狀的二氧化矽. 或呈分散狀的氧化鋁，以及鹼性的KOH 或NH4OH等溶液混合而. 成。CMP 研磨對象不同時，其所需使用的研磨液亦有所差異 ...