cmp研磨:化學機械平坦化
CMP是什麼意思?製程深入介紹,清楚瞭解技術與原理!
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所謂的「CMP」,意為「化學機械研磨,Chemical-Mechanical Polishing」的縮寫。是指使用研磨劑(Slurry),將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。一般在半導體前段 ...
化學研磨(CMP)
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化學拋光研磨(CMP) 是一種強大的製造技術,利用化學氧化和機械磨損來去除材料並實現非常高水平的平面度。 化學機械平坦化已廣泛應用於選擇性去除半導體製造中的形貌平坦 ...
個案研究
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矽晶圓生產過程中一個非常重要的步驟就是化學機械研磨(CMP)製程。主要目的為製作更大尺寸之晶圓尺寸,以及線條寬度與特徵尺寸更狹窄的小尺寸晶片。由於CMP製程要求使用 ...
3M CMP研磨墊用於半導體
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3M™ Trizact™ CMP研磨墊可以快速、精準、均勻地實現平坦化。 傳統的研磨墊可能需要在氮化矽層上沉積一層厚度超過2000埃的低效氧化層,以允許不夠精確地研磨,而3M研磨墊僅需 ...
半導體化學機械研磨(CMP)材料供應商名單彙整
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化學機械研磨(簡稱CMP)技術,可以將晶圓(wafer)的表面研磨成像鏡面一樣光滑。CMP製程會用到研磨液(CMP slurry)、研磨墊(CMP pad)及鑽石碟(CMP ...
CMP化學機械研磨
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利用CMP化學機械研磨技術,可以將每層製作完的電路表面磨平,才可在進行下一層電路的製作;就像在蓋房子一樣,如果一樓蓋的歪七扭八,那在蓋二樓時就會很難蓋。
3M™ CMP材料解決方案
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什麼是化學機械平坦化(CMP)? ... 化學機械平坦化(或化學機械研磨)是指在半導體製程中,晶圓需經過反覆拋光及平坦化處理,以確保晶圓表面平整,沒有外來物質,然後再進行後續的每 ...
化學機械研磨廢水相關處理技術
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在CMP的製程上所使用的研磨液主要是由呈膠體狀的二氧化矽. 或呈分散狀的氧化鋁,以及鹼性的KOH 或NH4OH等溶液混合而. 成。CMP 研磨對象不同時,其所需使用的研磨液亦有所差異 ...