晶粒成長機制：第二章文獻探討
第二章文獻探討
退火
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再結晶完成時，晶粒成長（grain growth）就會開始。晶粒成長過程中，小的晶粒會與大的晶粒合併，減少材料內部晶界的數目。晶粒成長的程度會嚴重影響到材料的機械性質。
晶粒长大
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晶粒长大的驱动力是晶界能的下降，即长大前后的界面能差值。晶粒长大会减少晶体中晶界的总面积，降低界面能。因此，只要有足够原子扩散的温度和时间条件，晶粒长大是自发的、 ...
物冶期末總結(缺陷、塑性變形、熱力學、退火機制)
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當新的晶粒完全取代舊的晶粒時，再結晶完成。 晶粒成長：再結晶完成後，新的晶粒繼續成長，目的是降低晶界能(驅動力).
金屬之變形與強化機制
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黃銅之『強化機制』。 (1) 低於再結晶溫度時，晶界之強度較晶粒內部高，所以. 晶粒愈細，則晶體之界面缺陷愈多，材料塑性變形時，. 差排受到界面的阻力就愈大，造成細晶強化效果 ...
第二章材料強化機構
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(2)面缺陷與晶粒尺寸強化，晶粒號碼愈大，晶粒愈細，晶界愈長，差排越容易受阻 ... 2. 成長. 一旦核形成之後，原子就會依附到固體表面，使固體發生成長(growth)。
7.pdf
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抑制／控制鈦酸鋇晶粒成長機制探討
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在所有介電陶瓷材料中，使用最廣泛同時也是最重要的就是鈦酸鋇(Barium Titanate)。鈦酸鋇的晶粒尺寸(Grain Size)與其介電性質有著重大的關係，因此如何抑制 ...
晶粒
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多晶體由許多不同大小和取向的晶粒組成，視不同之成長與加工過程，多晶體中的晶粒取向可能都均勻地隨機分佈形成隨機織構，也可能表現出多數晶粒都朝某一特定取向，而形成 ...
第七章差排與強化2
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十二、晶粒成長• 結晶完成後，若金屬試樣停留在高溫[ 圖7.21(d) 到圖7.21(f)] 則無應變晶粒將繼續成長；此種現象稱為晶粒成長(grain growth) 。 • 藉著晶界移動造成晶粒成長 ...