離子植入機各部位用途：TWI567775B
TWI567775B
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Ch8 Ion Implantation
http://homepage.ntu.edu.tw
可獨立地控制摻雜物的分佈(離子的能量)和濃. 度(離子束的電流和佈植時間). 2. 非等向性的摻雜物分佈. 3. 易於達成較大的原子量如磷、砷之高濃度摻雜.
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TWI597759B
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離子植入裝置一般具備將離子源、引出電極、質量分析磁鐵裝置、質量分析狹縫、射束掃描儀、射束平行化裝置、加速和減速裝置、角能量過濾器(AEF：Angular Energy Filter) ...
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大面積離子植入應用於
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低溫複晶矽使用的離子植入機與半. 導體製程中的Implanter類似，具有質量. 分析器，可以精確控制被植入雜質的劑. 量與種類，其原理主要是利用磁場加速. 對於不同雜質具有不同的 ...
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奇普島之半導體歷險
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第八章離子佈植
http://homepage.ntu.edu.tw
• 佈植的離子將能量轉移到晶格原子. – 原子被撞離. • 自由的原子與其它晶格 ... 離子佈植機示意圖. 氣體匱. 離子源. 真空幫浦. 真空幫浦. 電機系統. 電機系統. 磁場分. 析 ...
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離子植入
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應用材料產品系列含有業界常用的四類型植入系統。 其中三類是屬於視線離子束流系統：高電流(可供低能量和/或高劑量應用)；中電流(供較低劑量)；高能源(供非常深的植入)。 ...
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離子植入機：翔名(8091)半導體設備的核心業務
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傳統上，離子植入機的減速方式有二，一是直接減速，二是一次彎減速，而漢辰的創新突破，就是建立起「兩次彎」的減速專利。，這個減速專利的突破，讓原本10,000 ...