離子植入機各部位用途:TWI567775B
TWI567775B
Ch8 Ion Implantation
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可獨立地控制摻雜物的分佈(離子的能量)和濃. 度(離子束的電流和佈植時間). 2. 非等向性的摻雜物分佈. 3. 易於達成較大的原子量如磷、砷之高濃度摻雜.
TWI597759B
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離子植入裝置一般具備將離子源、引出電極、質量分析磁鐵裝置、質量分析狹縫、射束掃描儀、射束平行化裝置、加速和減速裝置、角能量過濾器(AEF:Angular Energy Filter) ...
大面積離子植入應用於
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低溫複晶矽使用的離子植入機與半. 導體製程中的Implanter類似,具有質量. 分析器,可以精確控制被植入雜質的劑. 量與種類,其原理主要是利用磁場加速. 對於不同雜質具有不同的 ...
奇普島之半導體歷險
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第八章離子佈植
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• 佈植的離子將能量轉移到晶格原子. – 原子被撞離. • 自由的原子與其它晶格 ... 離子佈植機示意圖. 氣體匱. 離子源. 真空幫浦. 真空幫浦. 電機系統. 電機系統. 磁場分. 析 ...
離子植入
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應用材料產品系列含有業界常用的四類型植入系統。 其中三類是屬於視線離子束流系統:高電流(可供低能量和/或高劑量應用);中電流(供較低劑量);高能源(供非常深的植入)。 ...
離子植入機:翔名(8091)半導體設備的核心業務
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傳統上,離子植入機的減速方式有二,一是直接減速,二是一次彎減速,而漢辰的創新突破,就是建立起「兩次彎」的減速專利。,這個減速專利的突破,讓原本10,000 ...