obirch分析：名針探精準定位讓奈米電性量測找出缺陷
名針探精準定位讓奈米電性量測找出缺陷
EMMIObirch测试
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主要用来检测芯片内部的金属短路、接触异常、漏电（结漏、氧化物漏、硅晶化相关缺陷引起的漏电）等。在面板显示领域，常用于IC 异常、bonding 异常、TRX short、GOA short AA ...
OBIRCH
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OBIRCH. 汎銓科技OBIRCH設備量充足，提供您迅速有效之分析服務！ Hamamatsu uAMOS-200. OBIRCH Analysis detects fluctuation in electricity that occur when an ...
Perfict IC Analysis Lab
http://www.perfictlab.com
OBIRCH 應用：. OBIRCH常用于晶片內部高阻抗及低阻抗分析，線路漏. 電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺. 陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高. 阻 ...
激光束电阻异常侦测(OBIRCH)
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OBIRCH常用于芯片内部电阻异常(高阻抗/低阻抗)、及电路漏电路径分析。可快速对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高电阻区 ...
电性失效分析(EFA)
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IR-OBIRCH的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验，其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC，造成扫描点被 ...
芯片漏电点定位及分析（EMMIOBIRCH，显微光热分布
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光诱导电阻变化（Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH），作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷 ...
雷射光束電阻異常偵測(OBIRCH)
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OBIRCH常用於晶片內部電阻異常(高阻抗/低阻抗)、及電路漏電路徑分析。可快速對電路中缺陷定位，如金屬線中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高電阻區 ...
雷射致阻值變化偵測(OBIRCH)
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IR-OBIRCH 的全名為InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顧名思義為雷射光束引生的電阻變化異常檢驗，其原理是利用波長為1340nm 的雷射掃描IC，造成掃描點 ...