碳化矽氮化鎵比較:GaN和SiC怎麼選?重點在於可靠性

GaN和SiC怎麼選?重點在於可靠性

GaN和SiC怎麼選?重點在於可靠性

2022年12月2日—碳化矽(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高於1kV,這是電動車逆變器等功率應用的關鍵要求。另一方面,氮化鎵(GaN)支援比其他半導體更高許多的開關頻率,並提供更 ...。其他文章還包含有:「5G時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?」、「SiCvsGaN:寬能隙半導體的不同世界」、「【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好」、「【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」」、「【科技人...

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5G 時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?
5G 時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?

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由於 SiC、GaN 的耐受電壓與輸出功率不同,因此它們能在不同的場域下發揮性能。 ... 由於 SiC 的硬度相當高,要對此材料進行快速蝕刻是比較困難的。

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SiC vs GaN:寬能隙半導體的不同世界
SiC vs GaN:寬能隙半導體的不同世界

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GaN Systems執行長Jim Witham也歸類SiC和GaN領域為分別適用於高功率、高壓以及中功率、中壓的應用。「GaN半導體通常跨50V至900V電壓範圍,而SiC元件則用於 ...

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【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好
【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好

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除IGBT之外,業界更推測原本尚未成氣候的氮化鎵(GaN),有望與碳化矽分庭抗禮,因為IGBT受限先天材料特性,無法做到高頻切換,在各方面表現不如碳化矽或 ...

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【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」
【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」

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而第三代半導體的「碳化矽」跟「氮化鎵」運用領域不盡相同,「氮化鎵」元件,常用在電壓900V 以下,像是基地台、5G 通訊、充電器。「碳化矽」是電壓大於 ...

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【科技人帶路】化合物半導體傳教士!GaN Systems副總裁莊淵棋
【科技人帶路】化合物半導體傳教士!GaN Systems副總裁莊淵棋

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「不是一桿子打翻一艘船」,莊淵棋強調,寬能隙半導體在碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)絕對不是哪些領域用,哪些領域不能用,而是從技術發展與需求應用 ...

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功率半導體元件的主流爭霸戰
功率半導體元件的主流爭霸戰

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氮化鎵(GaN)何去何從?
氮化鎵(GaN)何去何從?

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與碳化矽(SiC)元件相比,氮化鎵(GaN)元件的優勢是什麼? 矽基氮化鎵和碳化矽都是寬带隙半導體解決方案,與矽元件相比,它們都能夠承受更 ...

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第三代半導體到底紅什麼?4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵技術
第三代半導體到底紅什麼?4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵技術

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第一、二代半導體的矽與砷化鎵屬於低能隙材料,數值分別為1.12 eV 和1.43 eV,第三代(寬能隙)半導體的能隙,SiC 和GaN 分別達到3.2eV、3.4eV,因此當遇 ...

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解析未來五年SiCGaN市場應用態勢
解析未來五年SiCGaN市場應用態勢

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從市場應用狀況來看,GaN和SiC都有具體的應用在推進,而SiC技術似乎略微領先。可以肯定的是GaN和SiC都是不可或缺的好技術,但可能在應用領域上會有些許 ...