碳化矽氮化鎵比較：氮化鎵（GaN）何去何從？

5G 時代熱門半導體：碳化矽、氮化鎵有什麼差別？

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由於 SiC、GaN 的耐受電壓與輸出功率不同，因此它們能在不同的場域下發揮性能。 ... 由於 SiC 的硬度相當高，要對此材料進行快速蝕刻是比較困難的。

GaN和SiC怎麼選？重點在於可靠性

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碳化矽(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高於1kV，這是電動車逆變器等功率應用的關鍵要求。另一方面，氮化鎵(GaN)支援比其他半導體更高許多的開關頻率，並提供更 ...

SiC vs GaN：寬能隙半導體的不同世界

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GaN Systems執行長Jim Witham也歸類SiC和GaN領域為分別適用於高功率、高壓以及中功率、中壓的應用。「GaN半導體通常跨50V至900V電壓範圍，而SiC元件則用於 ...

【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好

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除IGBT之外，業界更推測原本尚未成氣候的氮化鎵（GaN），有望與碳化矽分庭抗禮，因為IGBT受限先天材料特性，無法做到高頻切換，在各方面表現不如碳化矽或 ...

【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」

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而第三代半導體的「碳化矽」跟「氮化鎵」運用領域不盡相同，「氮化鎵」元件，常用在電壓900V 以下，像是基地台、5G 通訊、充電器。「碳化矽」是電壓大於 ...

【科技人帶路】化合物半導體傳教士！GaN Systems副總裁莊淵棋

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「不是一桿子打翻一艘船」，莊淵棋強調，寬能隙半導體在碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）絕對不是哪些領域用，哪些領域不能用，而是從技術發展與需求應用 ...

功率半導體元件的主流爭霸戰

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第三代半導體到底紅什麼？4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵技術

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第一、二代半導體的矽與砷化鎵屬於低能隙材料，數值分別為1.12 eV 和1.43 eV，第三代（寬能隙）半導體的能隙，SiC 和GaN 分別達到3.2eV、3.4eV，因此當遇 ...

解析未來五年SiCGaN市場應用態勢

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從市場應用狀況來看，GaN和SiC都有具體的應用在推進，而SiC技術似乎略微領先。可以肯定的是GaN和SiC都是不可或缺的好技術，但可能在應用領域上會有些許 ...