光阻殘留:晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善= Improvement of Photoresist ...

晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善= Improvement of Photoresist ...

晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善= Improvement of Photoresist ...

由葉鎮熠著作·2017—本研究針對化學放大型光阻,曝光後顯影製程發生晶圓邊緣產生光阻殘留而做實驗,然而化學放大型光阻則需要曝光後加熱的步驟(通常是以90∼140oC加熱一至二分鐘),才能有效地進行 ...。其他文章還包含有:「CN1697151A」、「乾膜光阻去除(DryFilmStripping)」、「以田口方法改善顯影製程缺陷之研究」、「光阻去除劑」、「光阻去除與晶圓清洗產品」、「去光阻液」、「晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善」、「最常使用之...

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CN1697151A
CN1697151A

https://patents.google.com

本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法,包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面,部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面,检测并判定 ...

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乾膜光阻去除(Dry Film Stripping)
乾膜光阻去除(Dry Film Stripping)

https://www.gptc.com.tw

因為負光阻產生交連作用(Cross-linking),光阻比較不易去除,常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)。 ... 光阻剝離製程必須避免光阻回沾問題,有關光阻 ...

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以田口方法改善顯影製程缺陷之研究
以田口方法改善顯影製程缺陷之研究

https://ndltd.ncl.edu.tw

光阻殘留是半導體製程中常見的問題,可能導致產品品質不佳和產量下降,為了解決這個問題,本研究使用了田口方法和微影製程,提出了一種改善光阻殘留的製程修改方案。本研究先 ...

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光阻去除劑
光阻去除劑

https://www.wahlee.com

半導體材料Wahlee Product. 半導體材料 · 光阻液及顯影液 · 光阻去除劑, 乾蝕刻後殘留物去除劑 ... 光阻去除劑, 乾蝕刻後殘留物去除劑. Stripper; Remover(光阻去除劑; 蝕刻 ...

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光阻去除與晶圓清洗產品
光阻去除與晶圓清洗產品

https://www.lamresearch.com

光阻去除可去除離子植入或蝕刻步驟之後的光阻薄膜與殘留物。為了清除微粒、汙染物、殘留物、以及其它不必要的材料,晶圓清洗步驟會在整個製造過程中重複執行多 ...

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去光阻液
去光阻液

https://www.chemleader.com.tw

... 光阻液產品可應對半導體封裝製程與光電製程,有效去除正型光阻、負型光阻、乾膜光阻 ... 另外多層PI結構經過重複烘烤固化、冷卻收縮會造成內應力殘留,在去光阻製程中容易因為 ...

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晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善
晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善

https://ndltd.ncl.edu.tw

本研究針對化學放大型光阻,曝光後顯影製程發生晶圓邊緣產生光阻殘留而做實驗,然而化學放大型光阻則需要曝光後加熱的步驟(通常是以90~140oC加熱一至二分鐘),才能有效地進行 ...

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最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

https://www.tsri.org.tw

其適用於有光阻圖形之二氧化矽蝕刻,因其溶液內含NH4F 用以當化學緩衝劑用。所謂的化學. 緩衝劑就是當少量的強酸或強鹼被加入時,其可抑制PH 值被改變的一種溶液。