光阻殘留：最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
CN1697151A
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本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面，部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面，检测并判定 ...
乾膜光阻去除(Dry Film Stripping)
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因為負光阻產生交連作用(Cross-linking)，光阻比較不易去除，常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)。 ... 光阻剝離製程必須避免光阻回沾問題，有關光阻 ...
以田口方法改善顯影製程缺陷之研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
光阻殘留是半導體製程中常見的問題，可能導致產品品質不佳和產量下降，為了解決這個問題，本研究使用了田口方法和微影製程，提出了一種改善光阻殘留的製程修改方案。本研究先 ...
光阻去除劑
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半導體材料Wahlee Product. 半導體材料 · 光阻液及顯影液 · 光阻去除劑, 乾蝕刻後殘留物去除劑 ... 光阻去除劑, 乾蝕刻後殘留物去除劑. Stripper; Remover(光阻去除劑; 蝕刻 ...
光阻去除與晶圓清洗產品
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光阻去除可去除離子植入或蝕刻步驟之後的光阻薄膜與殘留物。為了清除微粒、汙染物、殘留物、以及其它不必要的材料，晶圓清洗步驟會在整個製造過程中重複執行多 ...
去光阻液
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... 光阻液產品可應對半導體封裝製程與光電製程，有效去除正型光阻、負型光阻、乾膜光阻 ... 另外多層PI結構經過重複烘烤固化、冷卻收縮會造成內應力殘留，在去光阻製程中容易因為 ...
晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善
https://ndltd.ncl.edu.tw
本研究針對化學放大型光阻，曝光後顯影製程發生晶圓邊緣產生光阻殘留而做實驗，然而化學放大型光阻則需要曝光後加熱的步驟（通常是以90～140oC加熱一至二分鐘），才能有效地進行 ...
晶圓邊緣光阻殘留缺陷改善= Improvement of Photoresist ...
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本研究針對化學放大型光阻，曝光後顯影製程發生晶圓邊緣產生光阻殘留而做實驗，然而化學放大型光阻則需要曝光後加熱的步驟（通常是以90∼140oC加熱一至二分鐘），才能有效地進行 ...