epi layer半導體：磊晶
磊晶
(12)發明說明書公開本
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半導體裝置結構也包括通道結構,位於半導體基底上。 ... epitaxial growth, SEG)製程、化學氣相沉積(chemical vapor ... 面層(interfacial layer, IL)。
(19)中華民國智慧財產局
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【0005】 本揭露之一態樣提出一種水平擴散N 型金氧半導. 體元件,包含半導體基底、磊晶層(epitaxial layer: epi-layer)、圖案化的隔離層、N型雙擴散區(N-type double.
TWI404123B
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本發明是有關於在半導體製程中的含矽材料的沈積，且特別是有關於在半導體窗上選擇性 ... Kaisha Toshiba Semiconductor device with oxide mediated epitaxial layer.
TWI692047B
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本揭露書的實施例一般關於用於半導體處理的設備和方法，更特定地，關於熱製程腔室。 ... Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering.
半導體材料掀革命10nm製程改用鍺III
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晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料，在邁入10奈米技術節點後，將面臨物理極限，使製程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。
半導體製程技術
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單晶成長–磊晶( Epitaxy Layer Growth ). 磊晶矽薄膜的純度高、缺陷少、性質佳，但其製程溫度最高、難度最高，因此在元件應用上. 有其限制，一般用在積體電路製程最 ...
磊晶(晶體)
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使 ...