epi layer半導體：TWI692047B
TWI692047B
(12)發明說明書公開本
https://ir.nctu.edu.tw
半導體裝置結構也包括通道結構,位於半導體基底上。 ... epitaxial growth, SEG)製程、化學氣相沉積(chemical vapor ... 面層(interfacial layer, IL)。
(19)中華民國智慧財產局
https://ir.nctu.edu.tw
【0005】 本揭露之一態樣提出一種水平擴散N 型金氧半導. 體元件,包含半導體基底、磊晶層(epitaxial layer: epi-layer)、圖案化的隔離層、N型雙擴散區(N-type double.
TWI404123B
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本發明是有關於在半導體製程中的含矽材料的沈積，且特別是有關於在半導體窗上選擇性 ... Kaisha Toshiba Semiconductor device with oxide mediated epitaxial layer.
半導體材料掀革命10nm製程改用鍺III
https://www.semi.org
晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料，在邁入10奈米技術節點後，將面臨物理極限，使製程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。
半導體製程技術
http://ocw.nctu.edu.tw
單晶成長–磊晶( Epitaxy Layer Growth ). 磊晶矽薄膜的純度高、缺陷少、性質佳，但其製程溫度最高、難度最高，因此在元件應用上. 有其限制，一般用在積體電路製程最 ...
磊晶
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磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。
磊晶(晶體)
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使 ...