rc rs電阻：WAT电性参数介绍
WAT电性参数介绍
Resistivity Measurement
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spreading resistance ；Rs 是半導體的電阻。在此假定兩個接觸點的Rc 與Rsp 是 相同的，而Rsp 是可由通電流所測得的，因為對於一般的四點探針Rsp>>Rs。
二維半導體材料元件技術開發研究
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為分析MoS2 之接觸電阻（Rc），採用光罩中TLM 量測區塊（如圖12(c)所. 示），藉由不同長度之電阻可分析出Rc 及Rs（sheet resistance of MoS2），此分析.
分子科學研究所碩士論文
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其中RP 為探針電阻、Rc 為在金屬探針與半導體接觸點的接觸電阻、. Rsp 為在金屬探針下的擴展電阻(spreading resistance)、Rs 為半. 導體電阻。接觸電阻是由金屬探針 ...
四端點測量技術
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電阻阻值的測量可通過測量電阻兩端電壓V與流經電阻的電流I來實現。左圖為理想的測量情形，電壓表直接測得電阻兩側電壓，此測量結果未受導線壓降影響。
微電子65 奈米世代後銅薄膜阻抗係數之探討
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代時， 銅導線的阻抗係數呈非線性增加，如此對RC (電阻x 電容)延. 遲有負面影響。基本上銅阻抗係數增高可能經由下列數種不同的散射. 機制: (1) 表面散射:由銅界面上 ...
第一章四點探針電阻量測
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其中，Rp 是探針電阻；Rc 為探針/半導體接面的接觸電阻；Rsp 試探針下方的 spreading resistance ；Rs 是半導體的電阻。在此假定兩個接觸點的Rc 與Rsp 是. 相同的，而Rsp ...
第三章元件製程與量測方法
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阻Rc，由y軸的截距得到；第三個參數為transfer length , ，由x軸的截距得. 到。最後，特性接觸電阻,. T. L c ρ ，可由上述的參數ρS、 整理得出，其關係式為.
薄膜電阻
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薄膜電阻(sheet resistance)，又被稱為方阻，具有均勻厚度薄膜電阻的量度。通常被用作評估半導體摻雜的結果。這種工藝的例子有：半導體的摻雜領域（比如矽或者 ...