rc rs電阻:微電子65 奈米世代後銅薄膜阻抗係數之探討
微電子65 奈米世代後銅薄膜阻抗係數之探討
Resistivity Measurement
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spreading resistance ;Rs 是半導體的電阻。在此假定兩個接觸點的Rc 與Rsp 是 相同的,而Rsp 是可由通電流所測得的,因為對於一般的四點探針Rsp>>Rs。
WAT电性参数介绍
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5、Contact(接触电阻Rc) ... Define:由测量两条同长度,不同宽度的电阻,换算出其宽度CD大小。 ... 则△W (CD loss)、Rs都可以求得.
二維半導體材料元件技術開發研究
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為分析MoS2 之接觸電阻(Rc),採用光罩中TLM 量測區塊(如圖12(c)所. 示),藉由不同長度之電阻可分析出Rc 及Rs(sheet resistance of MoS2),此分析.
分子科學研究所碩士論文
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其中RP 為探針電阻、Rc 為在金屬探針與半導體接觸點的接觸電阻、. Rsp 為在金屬探針下的擴展電阻(spreading resistance)、Rs 為半. 導體電阻。接觸電阻是由金屬探針 ...
四端點測量技術
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電阻阻值的測量可通過測量電阻兩端電壓V與流經電阻的電流I來實現。左圖為理想的測量情形,電壓表直接測得電阻兩側電壓,此測量結果未受導線壓降影響。
第一章四點探針電阻量測
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其中,Rp 是探針電阻;Rc 為探針/半導體接面的接觸電阻;Rsp 試探針下方的 spreading resistance ;Rs 是半導體的電阻。在此假定兩個接觸點的Rc 與Rsp 是. 相同的,而Rsp ...
第三章元件製程與量測方法
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阻Rc,由y軸的截距得到;第三個參數為transfer length , ,由x軸的截距得. 到。最後,特性接觸電阻,. T. L c ρ ,可由上述的參數ρS、 整理得出,其關係式為.
薄膜電阻
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薄膜電阻(sheet resistance),又被稱為方阻,具有均勻厚度薄膜電阻的量度。通常被用作評估半導體摻雜的結果。這種工藝的例子有:半導體的摻雜領域(比如矽或者 ...