晶圓切割方式：CN101110390A

CN100530593C

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一种切割晶圆的方法包括下列步骤：提供一晶圆，该晶圆具有一主动表面、一背面以及若干个纵向及横向的切割道，其中该等切割道位于该主动表面上，以界定出若干个晶粒； ...

CN103085176A

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一种晶圆切割方法，其步骤包含将一第一晶圆与一第二晶圆接合成一已接合晶圆、从该已接合晶圆的第一面进行半切割动作、在该已接合晶圆的第二面上设置锡球、以及从该已 ...

CN113732525A

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本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，待切割晶圆包括多 ...

TW201438078A

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切割道結構及切割晶圓之方法

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依據本發明之較佳實施例,是揭露一種切割道結構,其包含一半導體基底,該半導體基底上定. 義有一晶粒區、一晶粒封環(die seal ring)區設於該晶粒區外圍、一切割道區設於該晶粒 ...

切单（Singulation），一个晶圆被分割成多个半导体芯片的工艺

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早期，通过施加外力切割的“掰开（Breaking）”是唯一可以把晶圆分割成六面形的Die的切割法。然而，这种方法却存小芯片边缘剥落（Chipping）或产生裂纹等 ...

第二十三章半導體製造概論

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首先要在晶圓背面貼上膠帶（ blue tape）並置於鋼製的框架上，此一動作叫晶圓黏片（ wafer mount）（右圖）。 而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後，一顆顆. 的晶粒 ...

電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用

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一般晶圓製造的晶片分離方式主要以機械刀具或雷射方式來進行切割，以目前晶圓薄化的技術可將平均厚度為750 μm的矽晶圓減至120 μm，但對於機械式切割已開始伴隨著晶片 ...