SPM Clean：SPM Photoresist Stripping and Cleaning
SPM Photoresist Stripping and Cleaning
How the SPM Clean Process is Supported in a Wet Bench ...
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The process utilizes a mixture of approximately 3 parts sulfuric acid to 1 part hydrogen peroxide which is highly effective at eliminating ...
RCA clean 製程
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製程中最常使用的是HCl : H2O2 : H2O=1 : 1 : 6 體積比，在70℃下進行5~10分鐘的清洗。 SPM, 主要是清除晶圓表面有機物。利用硫酸及雙氧水生成的卡羅酸，其強氧化性及脫水性 ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
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Piranha(SPM) 硫酸/過氧化氫/DI. 水. H2SO4/H2O2/H2O. 微粒. SC-1(APM) ... 目前工業界所採行之標準濕式清潔步驟稱為RCA 清潔法(RCA Clean)， 係於1960 年代.
濕式化學品在半導體製程中之應用
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(SPM, Piranha Clean,. Caro Clean):. 主要是在清除晶圓表面的有機物。 利用硫酸及雙氧水生成的卡羅酸，其強. 氧化性及脫水性可破壞有機物的碳氫鍵.
第一章緒論
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H2SO4/H2O2 :主要是應用在有機化合物之去除。利用. H2SO4 之強氧化性來破壞有機物之碳酸鍵結。一般是以H2SO4 :H2O2 ＝ 4:1 之. 體積 ...
辛耘知識分享家
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氨水、雙氧水、純水的混和液，在140 °C 下清洗。這種鹼-過氧化物混合物可以去除了有機物殘留，顆粒也被有效地去除，甚至是不溶性顆粒，因為SC-1 改變了 ...