InGaAs EMMI：InGaAs EMMI
InGaAs EMMI
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
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砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，找亮點、熱點(hot spot)，偵測電子-電洞結合與熱載子所激發 ...
電性故障分析( EFA )
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InGaAs EMMI 與傳統EMMI (Si CCD) 的偵測原理一樣是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子，但由於兩者光子偵測器的材料不同(InGaAs 及Si)，偵測的波長範圍也就不 ...
EMMIInGaAs
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EMMI/InGaAs. 汎銓科技InGaAs設備量充足，提供您迅速有效之分析服務！ Hamamatsu phemos-1000. nfrared emission can occur and be detected in a semiconductor ...
熱點偵測
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砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs) 其原理是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子，與過往的微光顯微鏡(EMMI)原理相同，世代演進後使用新的偵測器材料(InGaAs)，讓可偵測 ...
电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？
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电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？ ; 分析速度. 慢. 快 ; 捕捉特性. 光子. 光子 ; 波长范围. 400nm～1150nm. 900nm～1700nm ; 适合分析案件.
【IC器件失效點定位方式的應用：光子激發與熱輻射偵測】蔚 ...
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InGaAs的偵測靈敏度也比Si-CCD EMMI來得高所以InGaAs EMMI便非常適合先進製程對亮點定位的需求。因此為了獲得較好的亮點偵測能力，InGaAs EMMI是絕佳選擇。
EMMIInGaAs
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EMMI/InGaAs. Infrared emission can occur and be detected in a semiconductor device when excessive electron - hole pair recombination occurs.
EMMIInGaAs
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Thermal EMMI (InSb) · EMMI/InGaAs. EMMI/InGaAs. 定位方式：. 光子 (侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子). 适用异常：. ○ 接面漏电(Junction Leakage).