InGaAs
「InGaAs」熱門搜尋資訊
「InGaAs」文章包含有：「EMMIInGaAs」、「Indiumgalliumarsenide」、「InGaAs線型短波紅外取像模組」、「InGaAsGaAs量子點與GaAsNGaAs量子井的電性與光性研究」、「熱點偵測」、「砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAsPDepiwafer」、「砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)」、「銦鎵砷(InGaAs)光電二極體」、「電性故障分析(EFA)」
查看更多
EMMIInGaAs
https://www.msscorps.com
EMMI/InGaAs. 汎銓科技InGaAs設備量充足，提供您迅速有效之分析服務！ Hamamatsu phemos-1000. nfrared emission can occur and be detected in a semiconductor device ...
Indium gallium arsenide
https://en.wikipedia.org
Indium gallium arsenide (InGaAs) is a ternary alloy (chemical compound) of indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs). Indium and gallium are group ...
InGaAs 線型短波紅外取像模組
https://www.tiri.narl.org.tw
InGaAs III-V 族元素所組成之紅外線CCD 感測. 器，以取得紅外線影像。 紅外線的頻率範圍一般定義為光譜上可見光之. 後長波長的部分。可見光波長範圍為400－700.
InGaAsGaAs量子點與GaAsNGaAs量子井的電性與光性研究
https://ir.nctu.edu.tw
相對於InGaAs/GaAs中的InGaAs在平行方向的壓縮應變，GaAsN/GaAs間的晶格不匹配會造成GaAsN的拉伸應變，從x-ray繞射，我們可看出所有樣品都具有良好的結構品質，從PL的 ...
熱點偵測
http://www.vesp-tech.com
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs) 其原理是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子，與過往的微光顯微鏡(EMMI)原理相同，世代演進後使用新的偵測器材料(InGaAs)，讓可偵測 ...
砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer
http://www.vpec.com.tw
砷化銦鎵光偵測器磊晶片（InGaAs PD Epi Wafer）. 三五族化合物半導體，由於具備優異的光電轉換效率，低暗電流及高電子移動率，因此非常適合用於做為光偵測器的應用。
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
https://www.istgroup.com
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞 ...
銦鎵砷(InGaAs)光電二極體
https://www.edmundoptics.com.t
銦鎵砷(InGaAs)光電二極體 · 回應範圍從900nm至1700nm · 套件支援單模與多模光纖耦合 · 適用於小型區域(高速)與大型區域 ...
電性故障分析( EFA )
https://www.matek.com
InGaAs 因為能隙較小，可偵測的波長就比較長，範圍約在900nm 到1700nm 之間，已是紅外線的波段。隨著元件製程越驅縮小，操作電壓也隨之降低，熱載子的能量也跟著變小，因此 ...