InGaAs:InGaAs 線型短波紅外取像模組
InGaAs 線型短波紅外取像模組
EMMIInGaAs
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EMMI/InGaAs. 汎銓科技InGaAs設備量充足,提供您迅速有效之分析服務! Hamamatsu phemos-1000. nfrared emission can occur and be detected in a semiconductor device ...
Indium gallium arsenide
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Indium gallium arsenide (InGaAs) is a ternary alloy (chemical compound) of indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs). Indium and gallium are group ...
InGaAsGaAs量子點與GaAsNGaAs量子井的電性與光性研究
https://ir.nctu.edu.tw
相對於InGaAs/GaAs中的InGaAs在平行方向的壓縮應變,GaAsN/GaAs間的晶格不匹配會造成GaAsN的拉伸應變,從x-ray繞射,我們可看出所有樣品都具有良好的結構品質,從PL的 ...
熱點偵測
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砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs) 其原理是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子,與過往的微光顯微鏡(EMMI)原理相同,世代演進後使用新的偵測器材料(InGaAs),讓可偵測 ...
砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer
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砷化銦鎵光偵測器磊晶片(InGaAs PD Epi Wafer). 三五族化合物半導體,由於具備優異的光電轉換效率,低暗電流及高電子移動率,因此非常適合用於做為光偵測器的應用。
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
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砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同,都是用來偵測故障點定位,尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具,其原理都是偵測電子-電洞 ...
銦鎵砷(InGaAs)光電二極體
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銦鎵砷(InGaAs)光電二極體 · 回應範圍從900nm至1700nm · 套件支援單模與多模光纖耦合 · 適用於小型區域(高速)與大型區域 ...
電性故障分析( EFA )
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InGaAs 因為能隙較小,可偵測的波長就比較長,範圍約在900nm 到1700nm 之間,已是紅外線的波段。隨著元件製程越驅縮小,操作電壓也隨之降低,熱載子的能量也跟著變小,因此 ...