fowler-nordheim tunneling中文:綜觀非揮發性記憶體技術-SONOS 與奈米晶體元件
綜觀非揮發性記憶體技術-SONOS 與奈米晶體元件
FNT 定義: 福勒諾隧道
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您可以單擊左側的鏈接以查看每個定義的詳細信息,包括英語和您的本地語言的定義。 在英語中的定義:Fowler-Nordheim Tunneling. FNT 此外代表: 前全國 ...
Retention Characteristic of SONOS Memory Cell SONOS 記憶 ...
https://implementation.ee.nthu
半導體中的隧道效應
https://zh.wikipedia.org
半導體中的隧道效應(又稱穿隧效應,tunneling effect)是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。
奈米科技研究所
https://ir.nctu.edu.tw
由通道熱電子注入(channel hot electron injection)或是F-N 穿隧(Fowler-Nordheim tunneling). 機制將電荷注入到懸浮閘中,當不同數量的電荷儲存在電子捕抓層中,造成 ...
閘極穿隧電流影響及模型
https://ndltd.ncl.edu.tw
為了簡化模擬,我們會用佛勒-諾德翰穿隧電流模型(Fowler-Nordheim tunneling current model)為基礎和分析。而在這篇會假設四種穿隧電流為來簡化分析:閘極穿隧電流, ...
隧穿电流
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隧穿电流(tunneling current)是指在微电子技术中,当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度,薄至与载流子的德布罗意波(de Broglie波)的波长差不多时,发生载流子的 ...
隧穿電流
https://baike.baidu.hk
隧穿電流(tunneling current)是指在微電子技術中,當半導體的勢壘或者二氧化硅薄膜的厚度,薄至與載流子的德布羅意波(de Broglie波)的波長差不多時,發生載流子的 ...