fowler-nordheim tunneling中文：隧穿电流
隧穿电流
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FNT 定義： 福勒諾隧道
https://www.abbreviationfinder
您可以單擊左側的鏈接以查看每個定義的詳細信息，包括英語和您的本地語言的定義。 在英語中的定義：Fowler-Nordheim Tunneling. FNT 此外代表: 前全國 ...
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Retention Characteristic of SONOS Memory Cell SONOS 記憶 ...
https://implementation.ee.nthu
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半導體中的隧道效應
https://zh.wikipedia.org
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。
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奈米科技研究所
https://ir.nctu.edu.tw
由通道熱電子注入(channel hot electron injection)或是F-N 穿隧(Fowler-Nordheim tunneling). 機制將電荷注入到懸浮閘中，當不同數量的電荷儲存在電子捕抓層中，造成 ...
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綜觀非揮發性記憶體技術－SONOS 與奈米晶體元件
https://www.tiri.narl.org.tw
② 傅勒－諾德翰穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling). 在外加強大的跨越薄氧化層電場條件之下，電. 子將會有很高的機率來穿越能障。我們可使用在金.
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閘極穿隧電流影響及模型
https://ndltd.ncl.edu.tw
為了簡化模擬，我們會用佛勒-諾德翰穿隧電流模型(Fowler-Nordheim tunneling current model)為基礎和分析。而在這篇會假設四種穿隧電流為來簡化分析:閘極穿隧電流， ...
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隧穿電流
https://baike.baidu.hk
隧穿電流（tunneling current）是指在微電子技術中，當半導體的勢壘或者二氧化硅薄膜的厚度，薄至與載流子的德布羅意波（de Broglie波）的波長差不多時，發生載流子的 ...