多層 光阻 技術:TWI587093B

TWI587093B

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為了挑戰這項極限,使用了兩層或多層型光阻設計來提升線寬均勻度、解析度和敏感度...曝光方法可以使用浸潤式或乾燥式(非浸潤)微影技術。曝光能量介於約10至80毫焦耳 ...。其他文章還包含有:「工學院半導體材料與製程設備學程」、「半導體光阻」、「IC光阻市場及技術發展趨勢」、「三層型光阻結構和其製造方法」

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