蝕刻率：Etch
Etch
蝕刻(Etching)
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蝕刻速率. 蝕刻速率是測量在蝕刻製程中物質被移除的速. 率有多快的一種參數。 ∆d = d0 - d1 (Å) 厚度改變量；t 蝕刻時間(min) t. Etching Rate = ∆d. (Å/min) d1 d0. ∆d.
蝕刻技術
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▫ Etch Rate (蝕刻速率, r):. ▫ Rate of material removal (μm/min). ▫ Function ... 加速蝕刻物垂直方向蝕刻率，而. 得到異向蝕刻的結果。 ▫ 氣態式及電漿式(現多採用) ...
第四章結果與討論4.1 蝕刻條件4.1.1 濕蝕刻本文將討論兩種不同 ...
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比較可知，DHF雖然蝕刻速率較BOE快，但其表面粗糙度亦較嚴重（注. 意兩者的Y軸刻度單位不同）。兩者在相同蝕刻時間下（6小時），. 其表面粗糙度約為20A（BOE）與450A（DHF ...
半導體Oxide etching 製程介紹
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BOE室溫下的蝕刻速率範圍為1000~2500 Å/min，取決於SiO2的緊密度。作為非晶體層，SiO2可以形成緊湊的結構（如果在氧氣中熱生長）或不緻密的結構（如果通過 ...
Chap9 蝕刻(Etching)
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乾式蝕刻的蝕刻速率，和電漿內的離. 子數量呈正比的關係。 ◇ 乾式蝕刻的非等向性 ... SiO2 蝕刻率(. / min) μm. 0.5~0.7. 0.8~1.0. 1. 1.5. SiO Si. 2 : 選擇比. >50. 60~80.
第四章個案分析與結果
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蝕刻速率通常可藉. 由氣體種類、流量、電漿源及偏壓功率所控制，在其他因素尚可接受的條件下，. 越快越好。均勻度是晶片上不同位置的蝕刻率差異的一個指標，較佳的均勻度意.
蝕刻技術(Etching Technology)www.tool
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蝕刻速率通常可藉由氣體種類、流量、電漿源及偏壓功率所控制，在其他因素尚可接受的條件下，越快越好。均勻度是晶片上不同位置的蝕刻率差異的一個指標 ...