MBE磊晶：分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
MBE技術發展較早，在磊晶的過程中厚度的控制較為精確
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MBE的成長過程有反射高能量電子繞射振盪現象，使其具有在磊晶成長時監控磊晶層成長厚度的能力，其控制精確度，可以達到單原子層，因此可以輕易地成長超結晶格子結構。 MBE ...
分子束磊晶(MBE)
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，目前在實驗室用來成長磊晶最簡單的方法就是使用「分子束磊晶(MBE：Molecular Beam ...
分子束磊晶
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分子束磊晶（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期 ...
分子束磊晶成長系統構造圖
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原理：. 分子束磊晶（MBE，Molecular Beam Epitaxy）為一種長晶技術，主要是用來成長品質優良之半導體、金屬或是絕緣體薄膜。薄膜成長時，處於一個非熱平衡狀態，其 ...
分子束磊晶成長系統簡介
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分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE),. 是一種近二十年來發展極為快速的技術,尤其在半導. 體材料上更有著驚人的成就。MBE本質上是一種具. 空蒸鍍技術,一般的真空蒸鍍 ...
分子束磊晶系統MBE System
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分子束磊晶系統 · Molecular beam epitaxy system 英文簡稱：MBE System 廠牌：美國, SVT Associates 型號：Model 35-V-2 · 儀器專家：周武清教授 分機56129
化合物半導體之分子束磊晶技術
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本文介紹三五族化合物半導體分子束磊晶系統的裝置設備，包括真空系統、分子束. 源、基板操控器與即時量測設備。本文同時也介紹了兩項近期的發展，包括含銻化合物半導. 體與 ...
化合物半導體磊晶市場剖析
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現行化合物半導體商用磊晶製程技術，大致可分成MOCVD（有機金屬氣相沉積法）和MBE（分子束磊晶技術）。若以成長技術而論，MOCVD的成長條件由氣相方法進行 ...
電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長
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本文將簡述分子束磊晶系統. 的基本儀器構造與磊晶原理，進而介紹最近筆者利. 用電漿輔助式分子束磊晶系統(PA-MBE) 成長氮化. 鋁鎵氮化鎵異質結構，以及在鋁酸鋰基板上成長.