MBE磊晶
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查看更多MBE技術發展較早,在磊晶的過程中厚度的控制較為精確
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MBE的成長過程有反射高能量電子繞射振盪現象,使其具有在磊晶成長時監控磊晶層成長厚度的能力,其控制精確度,可以達到單原子層,因此可以輕易地成長超結晶格子結構。 MBE ...
分子束磊晶(MBE)
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」,必須在非常嚴格的條件下才能成長出來,目前在實驗室用來成長磊晶最簡單的方法就是使用「分子束磊晶(MBE:Molecular Beam ...
分子束磊晶
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分子束磊晶(英語:Molecular beam epitaxy, MBE)是使單晶材料生長的一種方法,由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟(J. R. Arthur)和卓以和(Alfred Y. Cho)於1960年代後期 ...
分子束磊晶成長系統構造圖
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原理:. 分子束磊晶(MBE,Molecular Beam Epitaxy)為一種長晶技術,主要是用來成長品質優良之半導體、金屬或是絕緣體薄膜。薄膜成長時,處於一個非熱平衡狀態,其 ...
分子束磊晶成長系統簡介
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分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE),. 是一種近二十年來發展極為快速的技術,尤其在半導. 體材料上更有著驚人的成就。MBE本質上是一種具. 空蒸鍍技術,一般的真空蒸鍍 ...
分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
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分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE) 技. 術是由貝爾實驗室的卓以和博士以及Dr. John. Arthur 於1968 年首度研發成功(1)。分子束磊晶技術. 乃是在高真空度(壓力< 10 ...
分子束磊晶系統MBE System
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分子束磊晶系統 · Molecular beam epitaxy system 英文簡稱:MBE System 廠牌:美國, SVT Associates 型號:Model 35-V-2 · 儀器專家:周武清教授 分機56129
化合物半導體之分子束磊晶技術
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本文介紹三五族化合物半導體分子束磊晶系統的裝置設備,包括真空系統、分子束. 源、基板操控器與即時量測設備。本文同時也介紹了兩項近期的發展,包括含銻化合物半導. 體與 ...
化合物半導體磊晶市場剖析
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現行化合物半導體商用磊晶製程技術,大致可分成MOCVD(有機金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術)。若以成長技術而論,MOCVD的成長條件由氣相方法進行 ...
電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長
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本文將簡述分子束磊晶系統. 的基本儀器構造與磊晶原理,進而介紹最近筆者利. 用電漿輔助式分子束磊晶系統(PA-MBE) 成長氮化. 鋁鎵氮化鎵異質結構,以及在鋁酸鋰基板上成長.