砷化銦鎵：磷化銦：化合物半導體的下一張拼圖

磷化銦：化合物半導體的下一張拼圖

2021年10月6日—我們期望磷化銦在台灣，能繼砷化鎵、碳化矽及氮化鎵，成為化合物半導體產業的下一張拼圖。但如果同時我們又期待化合物半導體能成為我們的護國群山之一 ...。其他文章還包含有：「砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAsPDepiwafer」、「砷化銦鎵砷化鎵與砷化鋁鎵砷化銦鎵異質結構接面場...」、「砷磷化銦鎵」、「磷化銦鎵」、「銦鎵砷(InGaAs)光電二極體」

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砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer

http://www.vpec.com.tw

而砷化銦鎵材料因可吸收遠距離光纖通訊的雷射光波段(1.3um,1.55um)，因此又可被應用於監控雷射功率的光偵測器(power monitor PD)及光纖通訊之光接收器(photo detector)。

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砷化銦鎵砷化鎵與砷化鋁鎵砷化銦鎵異質結構接面場 ...

https://ndltd.ncl.edu.tw

砷化銦鎵/砷化鎵與砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構接面場效電晶體之設計與製作. 論文名稱(外文):, The design and fabrication of InGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs ...

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砷磷化銦鎵

https://www.grb.gov.tw

1. 以週期結構提升磷化銦鎵/砷化鎵/鍺太陽電池及氮化鎵基發光二極體之效能. 計畫主持人：雷伯薰系統編號：PB10807-10368 ; 2. 毫米波電路與天線---子計畫七：磷化銦鎵/砷化 ...

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磷化銦鎵

https://zh.wikipedia.org

磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高 ...

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銦鎵砷(InGaAs)光電二極體

https://www.edmundoptics.com.t

銦鎵砷(InGaAs)光電二極體 · 回應範圍從900nm至1700nm · 套件支援單模與多模光纖耦合 · 適用於小型區域(高速)與大型區域 ...

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