砷化銦鎵：銦鎵砷(InGaAs)光電二極體
銦鎵砷(InGaAs)光電二極體
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砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer
http://www.vpec.com.tw
而砷化銦鎵材料因可吸收遠距離光纖通訊的雷射光波段(1.3um,1.55um)，因此又可被應用於監控雷射功率的光偵測器(power monitor PD)及光纖通訊之光接收器(photo detector)。
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砷化銦鎵砷化鎵與砷化鋁鎵砷化銦鎵異質結構接面場 ...
https://ndltd.ncl.edu.tw
砷化銦鎵/砷化鎵與砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構接面場效電晶體之設計與製作. 論文名稱(外文):, The design and fabrication of InGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs ...
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砷磷化銦鎵
https://www.grb.gov.tw
1. 以週期結構提升磷化銦鎵/砷化鎵/鍺太陽電池及氮化鎵基發光二極體之效能. 計畫主持人： 雷伯薰系統編號：PB10807-10368 ; 2. 毫米波電路與天線---子計畫七：磷化銦鎵/砷化 ...
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磷化銦鎵
https://zh.wikipedia.org
磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高 ...
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磷化銦：化合物半導體的下一張拼圖
https://www.digitimes.com.tw
我們期望磷化銦在台灣，能繼砷化鎵、碳化矽及氮化鎵，成為化合物半導體產業的下一張拼圖。但如果同時我們又期待化合物半導體能成為我們的護國群山之一 ...