imd半導體:化學氣相沉積與介電質薄膜
化學氣相沉積與介電質薄膜
![a. TEOS OX 製程b. W Polish 製程](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/a.+TEOS+OX+%E8%A3%BD%E7%A8%8Bb.+W+Polish+%E8%A3%BD%E7%A8%8B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
a. TEOS OX 製程b. W Polish 製程
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在半導體製程中會沉積許多的薄膜在晶圓上以作為介電層、障壁層或導電層。當這些 ... 故在多層導線結構製程之IMD與ILD介電層平坦化及鎢金屬栓塞(W plugs)之製作,以CMP ...
![Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/Case+study+%E5%A1%AB%E7%B8%AB%E8%83%BD%E5%8A%9B%E6%98%AF%E8%97%89%E7%94%B1%E6%99%B6%E7%B2%92%E7%BC%BA%E9%99%B7%E4%BE%86%E8%A9%95%E4%BC%B0.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估
https://www.cyut.edu.tw
此研究主要使用六標準差方法去減少IMD製程的缺陷,並且達到最佳化的製程績效。 以一個在台灣的半導體製造公司做為案例,去證實六標準差方法是可行的。
![Ch10 Chemical Vapor Deposition and Dielectric](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/Ch10+Chemical+Vapor+Deposition+and+Dielectric.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
Ch10 Chemical Vapor Deposition and Dielectric
http://homepage.ntu.edu.tw
IMD: 屬層間介電質層;. PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣;. LDD: 低摻雜 ... 半導體. SiCl2H2 (DCS). Si (epi). SiCl3H (TCS). SiCl4 (Siltet). LPCVD. SiH4, O2.
![TWI505431B](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/TWI505431B+-+%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E8%A3%9D%E7%BD%AE%E5%8F%8A%E7%A9%8D%E9%AB%94%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E4%B9%8B%E8%A3%BD%E4%BD%9C%E6%96%B9%E6%B3%95.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
TWI505431B
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個別裝置之金屬層的內連接一般包括了金屬間介電(inter-metal dielectric,IMD)層,其中藉由對矽晶圓表面上之薄膜進行大量且重複的沉積、圖案化及蝕刻步驟而形成內連 ...
![低介電常數材料於積體電路](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E4%BD%8E%E4%BB%8B%E9%9B%BB%E5%B8%B8%E6%95%B8%E6%9D%90%E6%96%99%E6%96%BC%E7%A9%8D%E9%AB%94%E9%9B%BB%E8%B7%AF.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
低介電常數材料於積體電路
https://www.materialsnet.com.t
本文將針對目前先進半導體製. 程,以及TFT-LCD製程中對低介電常. 數材料的應用及相關的整合問題做一. 系統的介紹。 低介電常數材料的基本特. 性與要求. 一般低介電常數材料 ...
![低介電常數薄膜之檢測與製程整合技術探討](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E4%BD%8E%E4%BB%8B%E9%9B%BB%E5%B8%B8%E6%95%B8%E8%96%84%E8%86%9C%E4%B9%8B%E6%AA%A2%E6%B8%AC%E8%88%87%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E6%95%B4%E5%90%88%E6%8A%80%E8%A1%93%E6%8E%A2%E8%A8%8E.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
低介電常數薄膜之檢測與製程整合技術探討
https://www.materialsnet.com.t
先進半導體微電子產品的製造技. 術是藉著電晶體尺寸的不斷微縮與積. 集度的增加,來 ... 電絕緣層(Intermetal Dielectric; IMD),. 來降低在電容方面的延遲[2]。不過,. Low ...
![半導體產業及製程](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E7%94%A2%E6%A5%AD%E5%8F%8A%E8%A3%BD%E7%A8%8B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
半導體產業及製程
http://140.118.48.162
半導體產業及製程. TSMC. FAB14. 張永政. [email protected]. Page 2. e ... IMD-1. W. W. W. W. Metal-1. Metal-2. Page 26. e-Manufacturing. 26. 晶圓的尺寸所代表 ...
![應用TRIZ方法與實驗設計進行半導體製程改善](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E6%87%89%E7%94%A8TRIZ%E6%96%B9%E6%B3%95%E8%88%87%E5%AF%A6%E9%A9%97%E8%A8%AD%E8%A8%88%E9%80%B2%E8%A1%8C%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E6%94%B9%E5%96%84.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
應用TRIZ方法與實驗設計進行半導體製程改善
https://ndltd.ncl.edu.tw
在半導體金屬導體連線技術,會利用蝕刻製程(etch)將金屬介電層(inter-metal dielectric,IMD)形成孔洞(via holes)後,填入金屬以形成連結每層平面金屬導電線路的垂直 ...
![第十章介電質薄膜SiO](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%AC%AC%E5%8D%81%E7%AB%A0%E4%BB%8B%E9%9B%BB%E8%B3%AA%E8%96%84%E8%86%9CSiO+%2C+Si+N.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第十章介電質薄膜SiO
http://homepage.ntu.edu.tw
IMD 或. ILD2. ARC. PD1. PD2. 側壁空間層. WCVD. TiN. CVD. ARC: 反射層鍍膜; IMD: 金屬層間介電質層; PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ...