HEMT：HEMT元件物語
HEMT元件物語
GaN元件技術開發與單晶片集成電路的開發與挑戰
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目前GaN HEMT主要分為兩種電晶體架構：增強型（E-mode 或稱正常狀態下關閉）電晶體、空乏型（D-mode或稱正常狀態下開啟）電晶體。 E-mode 電晶體主要的 ...
High
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HEMT transistors are able to operate at higher frequencies than ordinary transistors, up to millimeter wave frequencies, and are used in high-frequency products ...
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
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HEMTs 和PHEMTs 都是場效電晶體(FET) 的一種變體，適用於單片微波積體電路(MMIC) 的製造。HEMT 和PHEMT 結構將移動載流子與摻雜離子物理隔離，並防止光學聲子和離子化雜質 ...
半導體元件HEMT的原理及應用
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高電子移動速度電晶體（HEMT：High Electron Mobility Transistor）簡稱為「HEMT」。HEMT的構造NMES 是很好的元件，但是仍然有許多缺點，例如：在砷化 ...
增強型GaN HEMT的汲極電流特性
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基於氮化鎵(GaN)的增強型高電子遷移率電晶體(HEMT)可以採用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層- ...
增強型GaN HEMT的汲極電流特性
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GaN HEMT可以採用兩種不同的結構開發出來，包括金屬-絕緣層-半導體(MIS)結構和閘極注入電晶體(GIT)結構。MIS結構具有受電壓驅動的小閘極漏電流，而GIT ...
高功率氮化鎵異質結構場效電晶體之設計與製作
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GaN HEMTs 擁有寬能隙、大崩潰電場以及高飽和飄移速度，因此非常適合. 在高功率、高頻和高溫下操作。就高壓上的應用而言，要如何改良以提升崩潰電. 壓使其更趨近於理想值， ...
高電子移動率電晶體
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高電子移動率電晶體（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也稱調變摻雜場效電晶體（modulation-doped FET, MODFET）是場效應電晶體的一種，它使用兩種 ...
高電子移動速度電晶體(HEMT)
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金屬半導體場效電晶體(MESFET)是很好的高頻放大器元件，但是仍然有許多缺點，後來又發展出下層無摻雜磊晶，上層有摻雜特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT：High ...