p-lapping分析：第四章實驗結果與分析
第四章實驗結果與分析
IC去層(Delayer)
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IC去層(Delayer). 利用乾、濕蝕刻與水平研磨方式來去除metal與oxide可利用光學或電子顯微鏡來搭配檢驗是否有異常。 應用場景. 晶片Al、Cu製程的metal去除; PCB lapping ...
Parallel Lapping of Devices for Deprocessing.
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Parallel lapping is a commonly used process in failure analysis, debug, and general construction analysis in the production of integrated circuits.
乾式蝕刻及研磨去層次
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在層次去除應用上，以故障結構分析及逆向工程為主。在故障分析上可藉由層次去除，確認在製程中所發生的缺陷，例如蝕刻殘留、金屬層裂痕斷線、氧化 ...
半导体一站式解决方案
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P-lapping 分析. Dual beam FIB, WBS 绑线拉剪切力, WBP 绑线拉力. 2. 汽车半导体认证测试AEC-Q 测试标准：AEC-Q100（集成芯片）、AEC-Q103（MEMS）、AEC-Q101（分立半导体 ...
故障分析FA 失效分析
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驗退品分析; 產品瑕疵檢測; 可靠度分析後之失效模式分析. C/P, F/T, PCBA 後樣品分析; 第三方公正報告. 團隊專業. 經驗豐富. 設備完善. 服務特色. 一站 ...
矽晶圓製造業資源化應用技術手冊
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或P 型決定，N 型摻雜物為磷（P）元素，P 型摻雜物為硼（B）元素。 （2）熔化 ... 放射性追蹤原子分析和質譜分析結果，採用雙氧水體系清洗晶片效果最. 好，同時所用 ...
矽晶片斷裂強度測試方法與破壞模式分析
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其中L為跨距，b為樑寬，h為樑高，P. 為三點彎曲測試中承受的最大負荷，σ. 為樑內最大拉伸應力。 此方法的破壞模式是從晶片背表. 面中心線處斷裂，故適用於晶片背表. 面存在 ...
觀察樣品截面時，該如何選擇試片製備與觀察工具？
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聚焦離子束, FIB : 利用離子束的方式對試片做小範圍的切割，再傾斜一個角度觀察截面; 電漿聚焦離子束, P-FIB : 原理同FIB，但適合切割較大的範圍; 穿透式 ...
重磅
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P-lapping 分析. Dual beam FIB. 汽车半导体认证测试AEC-Q. 测试标准：AEC-Q100(集成芯片）、AEC-Q103(MEMS)、AEC-Q101(分立半导体)、AEC-Q104(多晶圆及 ...