乾蝕刻原理：辛耘知識分享家

Chap9 蝕刻(Etching)

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乾式蝕刻的原理. ◇乾式蝕刻是以電漿，而非濕式的溶液，來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的優點為非等向性蝕刻。 ... 蝕刻與電漿蝕刻間的乾式蝕刻技術。優點為兼具非等 ...

乾蝕刻技術

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離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ...

晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼?

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當蝕刻種源為薄膜所攜著時，晶圓板表面便將引起化學反應，反應後之物質將自表面脫離並循排氣排至外部，藉此進行蝕刻。 乾式蝕刻中，為使能夠獲得與感光圖 ...

第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaNGaN HEMT

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2.3 電漿蝕刻原理. 室溫下氮化鎵化學性質穩定且大部分不溶於一般蝕刻液，因此乾式 ... 影響乾蝕刻的因素包括：(1)蝕刻系統的型態；(2)乾蝕刻的參數；(3)前製. 程相關參數 ...

第四章個案分析與結果

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在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的；而乾蝕刻. 通常是一種電漿蝕刻（Plasma Etching）。電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿. 中離子撞擊晶片表面的 ...

等離子乾蝕刻

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蝕刻(Etching)

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副產物為氣體、液體或可溶於蝕刻劑的固體. ▫. 三基本步驟：蝕刻、沖洗、旋乾. Page 5. 5. 9. 濕式蝕刻的應用. ▫. 濕式蝕刻不可在當CD < 3 µm時進行圖像蝕刻. ▫. 高選擇 ...

蝕刻技術

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濕式蝕刻法利用化學溶液. 腐蝕晶圓上擬去除的材料. ，並在完成蝕刻反應後，. 由溶液帶走腐蝕物。這種. 完全利用化學反應的方法. 來進行蝕刻的技術有其先. 天上的缺點，也 ...