倍縮光罩優點：光罩
光罩
工學院半導體材料與製程設備學程
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... 好處. 是當線寬越來小時，光罩的製作相對會較容易，且光罩. 上的誤差也會相對被縮小，這種形式的光罩被稱為倍縮. 光罩(Reticle)。步進式曝光機每次曝光時僅在晶圓上的局.
第一章緒論
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4、以倍縮的方式轉移光罩圖案，可降低光罩上微粒的影響，提高對微粒的容忍度。 但因為對晶圓每次投影的面積縮小，曝光的次數相對增加，必須不斷移動晶圓位 ...
黃光微影製程技術
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光罩的圖形比所要的圖. 形放大五倍或十倍，光. 源透過光罩後，再經過. 適當的聚焦，將比例縮. 為所要的大小而投射在. 部分的晶片上，故整片. 晶片都要曝光的話，得. 進行重 ...
光阻劑
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光罩/倍縮光罩. 曝光. 經顯影. 負光阻. 紫外光. 正光阻. 基片. 基片. 基片. 光阻. 負光阻及 ... 倍縮光罩上的圖案轉到光阻上. • 三個基本步驟: 顯影, 洗滌, 旋乾. 正光阻. 負 ...
IC 縮小術！林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小
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簡單說，將密集圖案分工給兩個以上圖案較寬鬆的光罩，輪流曝光至晶圓，可避免透光區過於接近，使圖案模糊的問題。缺點則是曝光次數加倍，等於效率降低一半 ...
TWI477927B
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為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例 ... 罩幕(photo mask)或倍縮光罩(reticle)。於本發明中，輻射源(radiation source)102 ...
〈研之有物〉IC縮小術！林本堅院士談光學微影如何把IC愈變 ...
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簡單來說，它將密集的圖案分工給兩個以上圖案較寬鬆的光罩，輪流曝光在晶圓上，這樣可以避免透光區過於接近，使圖案模糊的問題。缺點則是因為曝光次數加倍 ...
IC 縮小術！林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小
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... 縮IC 百萬倍」為題目，分享了光學微影這一路走來，如何將半導體元件尺寸愈縮 ... 移相光罩則是在光罩上動些手腳，讓穿過相鄰透光區的光，有180 度的相位差 ...