倍縮光罩優點:IC 縮小術!林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小
IC 縮小術!林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.nctu.edu.tw
... 好處. 是當線寬越來小時,光罩的製作相對會較容易,且光罩. 上的誤差也會相對被縮小,這種形式的光罩被稱為倍縮. 光罩(Reticle)。步進式曝光機每次曝光時僅在晶圓上的局.
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
4、以倍縮的方式轉移光罩圖案,可降低光罩上微粒的影響,提高對微粒的容忍度。 但因為對晶圓每次投影的面積縮小,曝光的次數相對增加,必須不斷移動晶圓位 ...
黃光微影製程技術
http://semi.tcfst.org.tw
光罩的圖形比所要的圖. 形放大五倍或十倍,光. 源透過光罩後,再經過. 適當的聚焦,將比例縮. 為所要的大小而投射在. 部分的晶片上,故整片. 晶片都要曝光的話,得. 進行重 ...
光阻劑
http://homepage.ntu.edu.tw
光罩/倍縮光罩. 曝光. 經顯影. 負光阻. 紫外光. 正光阻. 基片. 基片. 基片. 光阻. 負光阻及 ... 倍縮光罩上的圖案轉到光阻上. • 三個基本步驟: 顯影, 洗滌, 旋乾. 正光阻. 負 ...
光罩
https://zh.wikipedia.org
為了區別接觸式曝光中使用的光罩,投影式曝光中使用的光罩又被稱為倍縮式光罩(reticle)。 光罩(Mask):當鉻膜玻璃上的圖像能覆蓋整個晶圓時稱之為光罩。
IC 縮小術!林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小
https://technews.tw
簡單說,將密集圖案分工給兩個以上圖案較寬鬆的光罩,輪流曝光至晶圓,可避免透光區過於接近,使圖案模糊的問題。缺點則是曝光次數加倍,等於效率降低一半 ...
TWI477927B
https://patents.google.com
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例 ... 罩幕(photo mask)或倍縮光罩(reticle)。於本發明中,輻射源(radiation source)102 ...
〈研之有物〉IC縮小術!林本堅院士談光學微影如何把IC愈變 ...
https://news.cnyes.com
簡單來說,它將密集的圖案分工給兩個以上圖案較寬鬆的光罩,輪流曝光在晶圓上,這樣可以避免透光區過於接近,使圖案模糊的問題。缺點則是因為曝光次數加倍 ...