英特磊競爭對手：英特磊科技股份有限公司
英特磊科技股份有限公司
IET
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這次法說靳副總有提到，英特磊在氮化鎵這塊的目標是未來打算要用MBE做到12吋，這件事有優勢的原因我認為主要原因還是在缺陷密度的降低。當你用MOCVD做一塊 ...
《產業分析》氮化鎵「錢」景亮穩懋、環宇
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至於IET-KY(4971) (英特磊)已取得美國能源部合約，目前氮化鎵(GaN)機臺已組裝完成 ... 於其他競爭對手，晶成半導體有較高的技術優勢與整合優勢，以前述的異質磊晶技術 ...
最新消息英特磊科技股份有限公司
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一部由英特磊改裝升級的七片六英吋容量氮化鎵MBE機台已於十一月底順利運往韓國, ... 化合在物半導體磊晶業務和大規模生產方面的長期經驗，增強GaN磊晶片的市場競爭力。
英特磊IET
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「隨大流的話，對新創公司競爭機會不大」英特磊之所以選擇MBE長晶，除了因高永中自攻讀博士到進入德州儀器都與MBE為伍、經驗豐富外，另一重要原因是， ...
英特磊去年每股賺4.34元擬配2元現金股利
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三五族大廠IET-KY英特磊今天舉行法人說明會，去年營收、獲利雙創歷史新高，每股盈餘（EPS）4.34元，年增77.14%，董事會決議去年盈餘分每股擬配發現金 ...
英特磊獲客戶追單今年營運成長目標不變
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國防合約上，高永中說，主要來自銻化鎵紅外磊晶片、MBE 機台與硬體構件營運，訂單相對穩健，面對外部競爭環境，英特磊將持續提升產品品質、生產效率， ...
英特磊科技
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英特磊科技產品組合中砷化鎵（GaAs）磊晶. 片約佔40%，磷化銦（InP）磊晶片約佔40%，銻. 化鎵（GaSb）磊晶片、光電磊晶片及勞務收入約. 佔20%。 競爭優勢. 1. 主要以MBE ...
英特磊高頻技術傲視全球邁入爆發成長期
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自美國回台上櫃的磊晶廠英特磊，挾著生產技術核心競爭優勢，研發具利基市場的三五族化合物半導體磊晶， ... 問：英特磊磷化銦產品領先對手約有幾年？