英特磊競爭對手:英特磊獲客戶追單今年營運成長目標不變
英特磊獲客戶追單今年營運成長目標不變
IET
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這次法說靳副總有提到,英特磊在氮化鎵這塊的目標是未來打算要用MBE做到12吋,這件事有優勢的原因我認為主要原因還是在缺陷密度的降低。當你用MOCVD做一塊 ...
《產業分析》氮化鎵「錢」景亮穩懋、環宇
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至於IET-KY(4971) (英特磊)已取得美國能源部合約,目前氮化鎵(GaN)機臺已組裝完成 ... 於其他競爭對手,晶成半導體有較高的技術優勢與整合優勢,以前述的異質磊晶技術 ...
最新消息英特磊科技股份有限公司
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一部由英特磊改裝升級的七片六英吋容量氮化鎵MBE機台已於十一月底順利運往韓國, ... 化合在物半導體磊晶業務和大規模生產方面的長期經驗,增強GaN磊晶片的市場競爭力。
英特磊IET
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「隨大流的話,對新創公司競爭機會不大」英特磊之所以選擇MBE長晶,除了因高永中自攻讀博士到進入德州儀器都與MBE為伍、經驗豐富外,另一重要原因是, ...
英特磊去年每股賺4.34元擬配2元現金股利
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三五族大廠IET-KY英特磊今天舉行法人說明會,去年營收、獲利雙創歷史新高,每股盈餘(EPS)4.34元,年增77.14%,董事會決議去年盈餘分每股擬配發現金 ...
英特磊科技
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英特磊科技產品組合中砷化鎵(GaAs)磊晶. 片約佔40%,磷化銦(InP)磊晶片約佔40%,銻. 化鎵(GaSb)磊晶片、光電磊晶片及勞務收入約. 佔20%。 競爭優勢. 1. 主要以MBE ...
英特磊科技股份有限公司
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英特磊(IET)於2011年4月26日設立於開曼群島,公司營運主體設立於美國德州,採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵 ... (二)產品與競爭條件.
英特磊高頻技術傲視全球邁入爆發成長期
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自美國回台上櫃的磊晶廠英特磊,挾著生產技術核心競爭優勢,研發具利基市場的三五族化合物半導體磊晶, ... 問:英特磊磷化銦產品領先對手約有幾年?