reticle mask差異:https
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6 Photolithography
http://140.117.153.69
... 差異. •敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光 ... Mask/reticle. Exposure. UV light. Photoresist. Exposure. Negative. Substrate.
LCD厂掩膜版叫Mask
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现在在Fab 里面mask 和reticle 都有人说,都是指光罩,没有什么区别。 不过看到资料关于Mask 和reticle的定义说的比较清楚也比较合理。
光罩
https://zh.wikipedia.org
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.nctu.edu.tw
Mask)。本次蒸鍍鎳的厚度為50Å。 本次實驗的導電金屬層沈積採用電子槍金屬蒸鍍 ... 理論與實際的差異來源,二來確保未來光罩之品質。以下,我們分別就. 物理性與化學性來 ...
微影光罩之製造方法以及進行微影製程之方法
https://patents.google.com
在本發明實施例中,光罩(mask 或photomask)以及光標(reticle)可被交替使用來指涉相同的物件。 在本實施例中,微影系統10係為極紫外光微影系統,而光罩18為反射光罩 ...
微影制程之《MaskReticle》篇(转)
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光罩(土话叫光刻版),英文名叫Mask,也叫Reticle(因为早期的对位是十字线)。通常有5寸和6寸两种大小,5寸光罩主要用于5寸和6寸的FAB生产线,而6寸 ...
微影照像
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曝光輻射穿透光罩(photomask)中透明的部分,電路圖案. 的不透明部分阻擋部分輻射。阻劑(resist)對輻射敏感,而且對蝕刻有阻抗,塗敷. 於晶圓(wafer)表面。光罩在 ...
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
合差異稱為覆蓋誤差,覆蓋誤差過大而超過design rule 設計規範將導致元件短路或 ... Reticle)而言,大約要將整片晶圓分成數十個區域,. 則須進行數十次移動→對準→曝光 ...