化合物半導體特性:化合物半導體材料
化合物半導體材料
化合物半導體
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化合物半導體成科技新戰場
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化合物半導體有高功率密度,可大幅縮小產品體積,在高頻、高溫與高電壓的環境下,仍有極佳效能。在5G、綠能與電動車市場驅動下,估計未來五年,化合物半導體產值將較2020年 ...
化合物半導體材料與應用市場
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化合物半導體材料因為具有寬能隙,高電子遷移率,高功率密度,大穿透電壓或稱崩潰電壓,高導熱係數,高截止頻率以及高熔點等幾個關鍵的物理特性,在近代電子元件應用中 ...
化合物半導體製程用CVD SiC鍍膜技術
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化合物半導體材料具有寬能隙、高功率密度、高崩潰電壓、低功率損耗與較佳的散熱等特性,因此在高功率與低損耗的零碳排趨勢中,化合物半導體材料扮演 ...
從手機到電動車都靠它!什麼是次世代化合物半導體?
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與單一元素的矽半導體相比,化合物半導體具有獨特的材料特性,例如直接能隙(direct bandgap)、高崩潰電場(high break down voltage)及高電子遷移率(electron mobility ...
從電動車應用趨勢,看化合物半導體如何在其中扮演要角?
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... 化合物半導體正是目前業界所關注的材料選項。 高功率、高頻率特性,讓產業擁抱化合物半導體. 過去業界在半導體發展上多以「矽(Si)」為大宗,主要是因為 ...
迎接5G,不可或缺的化合物半導體
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應用層面而言,第一代半導體特性在於其材料來源充足、成本優勢,主要應用於電腦及消費性電子的邏輯IC、記憶體IC、微元件IC 及類比IC 為主;第二代半導體特性在於高電子遷移 ...